Ярымүткәргечкремний карбид (SiC) ваферлары, бу яңа материал соңгы елларда акрынлап барлыкка килде, уникаль физик һәм химик үзенчәлекләре белән, ярымүткәргеч индустриясе өчен яңа тормыш.SiC вафиннарымонокристалларны чимал итеп кулланып, химик пар парламенты (CVD) белән җентекләп үстерәләр, һәм аларның тышкы кыяфәте югары температура, югары ешлык һәм югары көчле электрон җайланмалар җитештерү мөмкинлеген бирә.
Электроника өлкәсендә,SiC вафиннарыюгары эффективлык конвертерлары, зарядлагычлар, электр белән тәэмин итү һәм башка продуктлар җитештерүдә кулланыла. Аралашу өлкәсендә ул югары ешлыклы һәм югары тизлекле RF җайланмалары һәм оптоэлектрон җайланмалар җитештерү өчен кулланыла, мәгълүмат чоры өчен нык нигез ташы сала. Автомобиль электроникасы өлкәсендә,SiC вафиннарыШоферның йөртү куркынычсызлыгын озату өчен югары көчәнешле, бик ышанычлы автомобиль электрон җайланмалары булдыру.
Технологиянең өзлексез үсеше белән, җитештерү технологиясеSiC вафиннарыкөннән-көн җитлеккән, бәя әкренләп кими бара. Бу яңа материал җайланманың эшләвен яхшыртуда, энергия куллануны киметүдә, продуктның көндәшлелеген күтәрүдә зур потенциалны күрсәтә. Алга карап,SiC вафиннарыярымүткәргеч индустриясендә мөһимрәк роль уйныйчак, тормышыбызга уңайлырак һәм куркынычсызлык китерәчәк.
Әйдәгез, бу якты ярымүткәргеч йолдызны - SiC waferны көтеп алыйк, киләчәктә фәнни-технологик прогрессның яктырак бүлеген сурәтләү өчен.
Пост вакыты: 27-2023 ноябрь