Өченче буын ярымүткәргеч материалларга, нигездә, SiC, GaN, бриллиант һ.б. керә, чөнки аның полосасы аермасы киңлеге (Ег) 2,3 электрон вольттан (eV) зуррак яки тигез, ул шулай ук киң үткәргеч ярымүткәргеч материаллары дип тә атала.Беренче һәм икенче буын ярымүткәргеч материаллар белән чагыштырганда, өченче буын ярымүткәргеч материалларның югары җылылык үткәрүчәнлеге, югары ватылу электр кыры, югары туендырылган электрон миграция темплары һәм югары бәйләнеш энергиясе өстенлекләре бар, алар заманча электрон технологиянең яңа таләпләренә җавап бирә ала. температура, югары көч, югары басым, югары ешлык һәм нурланышка каршы тору һәм башка катлаулы шартлар.Аның милли оборона, авиация, аэрокосмос, нефть эзләү, оптик саклау һ.б. өлкәсендә куллану перспективалары бар, һәм киң полосалы элемтә, кояш энергиясе, автомобиль җитештерү кебек күп стратегик тармакларда энергия югалтуын 50% тан киметергә мөмкин, ярымүткәргеч яктырту, һәм акыллы челтәр, һәм җиһаз күләмен 75% тан киметергә мөмкин, бу кеше фәнен һәм технологиясен үстерү өчен мөһим вакыйга.
| Item пункт | GaN-FS-CU-C50 | GaN-FS-CN-C50 | GaN-FS-C-SI-C50 |
| Диаметр | 50,8 ± 1 мм | ||
| Калынлык厚度 | 350 ± 25 мм | ||
| Ориентация | C яссылыгы (0001) M-күчәренә 0,35 ± 0,15 ° | ||
| Премьер | (1-100) 0 ± 0,5 °, 16 ± 1 мм | ||
| Икенче фатир | (11-20) 0 ± 3 °, 8 ± 1 мм | ||
| Ucткәрүчәнлек | N тибы | N тибы | Ярым изоляцион |
| Каршылык (300К) | <0,1 Ω · см | <0.05 Ω · см | > 106 Ω · см |
| TTV | ≤ 15 мм | ||
| Баш | ≤ 20 мм | ||
| Га йөз өслеге тупаслыгы | <0,2 нм (бизәлгән); | ||
| яки <0,3 нм (эпитаксия өчен чистартылган һәм өстән эшкәртү) | |||
| N Faceир өслегенең тупаслыгы | 0,5 ~ 1,5 мм | ||
| вариант: 1 ~ 3 нм (яхшы җир);<0,2 нм (бизәлгән) | |||
| Дислокация тыгызлыгы | 1 х 105 дән 3 х 106 см-2 (CL белән исәпләнә) * | ||
| Макро дефект тыгызлыгы | <2 см-2 | ||
| Кулланыла торган мәйдан | > 90% (кыр һәм макро җитешсезлекләрне чыгару) | ||
| Клиент таләпләре, кремний, сапфир, SiC нигезендә GaN эпитаксиаль таблицасы буенча көйләнә ала. | |||
