Семицера тәкъдим иткән Каты Кремний Карбид (SiC) Эшләү боҗралары Химик Пар Парлау (CVD) ысулы белән җитештерелә һәм төгәл эшкәртү процессын куллану өлкәсендә искиткеч нәтиҗә. Бу Каты Кремний Карбид (SiC) Эшләү боҗралары искиткеч катылыгы, җылылык тотрыклылыгы һәм коррозиягә каршы торулары белән билгеле, һәм югары материал сыйфаты CVD синтезы белән тәэмин ителә.
Эшләү процесслары өчен махсус эшләнгән Каты Кремний Карбид (SiC) Этчинг боҗраларының каты структурасы һәм уникаль материаль үзенчәлекләре төгәллеккә һәм ышанычлылыкка ирешүдә төп роль уйныйлар. Традицион материаллардан аермалы буларак, каты SiC компоненты чагыштыргысыз ныклыкка һәм кием каршылыгына ия, аны төгәллек һәм озын гомер таләп иткән тармакларда алыштыргысыз компонент итә.
Безнең Каты Кремний Карбид (SiC) Эшләү боҗралары төгәл җитештерелгән һәм аларның югары җитештерүчәнлеген һәм ышанычлылыгын тәэмин итү өчен контрольдә тотыла. Ярымүткәргеч җитештерүдә яки башка бәйләнешле өлкәләрдә булсын, бу Каты Кремний Карбид (SiC) Этчинг боҗралары тотрыклы эшкәртү эшләрен һәм искиткеч эффект нәтиҗәләрен бирә ала.
Әгәр дә сез безнең каты кремний карбид (SiC) Etching Ring белән кызыксынасыз икән, зинһар, безнең белән элемтәгә керегез. Безнең коллектив сезнең ихтыяҗларыгызны канәгатьләндерү өчен продукт турында тулы мәгълүмат һәм профессиональ техник ярдәм күрсәтәчәк. Без сезнең белән озак вакытлы партнерлык урнаштырырга һәм тармак үсешен бергәләп алга этәрергә өметләнәбез.
China Кытай базарында иң яхшы сыйфат
Ood Сезгә һәрвакыт яхшы хезмәт, 7 * 24 сәгать
- Тапшыруның кыска датасы
- Кечкенә MOQ рәхим итегез һәм кабул ителде
OstКостом хезмәтләре
Эпитакси үсешне сизүче
Кремний / кремний карбид ваферлары электрон җайланмаларда куллану өчен берничә процесс үтәргә тиеш. Мөһим процесс - кремний / сик эпитакси, анда кремний / сик ваферлар графит нигезендә алып барыла. Семицераның кремний карбид белән капланган графит базасының махсус өстенлекләренә чиктән тыш югары чисталык, бердәм каплау һәм бик озын хезмәт срокы керә. Аларда шулай ук югары химик каршылык һәм җылылык тотрыклылыгы бар.
LED чип җитештерү
MOCVD реакторының киң каплануы вакытында планета базасы яки ташучы субстрат ваферны хәрәкәт итә. Төп материалның эшләнеше каплау сыйфатына зур йогынты ясый, бу үз чиратында чипның сыну тизлегенә тәэсир итә. Семицераның кремний карбид белән капланган базасы югары сыйфатлы LED ваферларның җитештерү эффективлыгын арттыра һәм дулкын озынлыгының минимумын киметә. Без шулай ук хәзерге вакытта кулланыла торган барлык MOCVD реакторлары өчен өстәмә графит компонентлары белән тәэмин итәбез. Без кремний карбид каплавы белән теләсә нинди компонентны каплый алабыз, компонентның диаметры 1,5М га кадәр булса да, без кремний карбид белән каплый алабыз.
Ярымүткәргеч кыры, оксидлаштыру диффузиясе процессы, Һ.б.
Ярымүткәргеч процессында оксидлашуны киңәйтү процессы югары продукт чисталыгын таләп итә, һәм Семицерада без кремний карбид өлешләренең күпчелеге өчен махсус һәм CVD каплау хезмәтләрен тәкъдим итәбез.
Түбәндәге рәсемдә Семицаның тупас эшкәртелгән кремний карбид плитасы һәм 100 эчендә чистартылган кремний карбид мич трубасы күрсәтелә.0дәрәҗәтузансызбүлмә. Безнең эшчеләр каплау алдыннан эшлиләр. Кремний карбидының чисталыгы 99,99% ка җитә ала, һәм каплауның чисталыгы 99,99995% тан зуррак.
Чимал кремний карбид падле һәм чистартуда SiC процесс трубасы
Кремний Карбид Вафер көймәсе CVD SiC капланган
