Каты CVD SiC боҗрасы

Кыска тасвирлау:

Каты CVD SiC боҗралары, нигездә, кремний карбидыннан (SiC) тора, һәм искиткеч физик һәм химик үзенчәлекләргә ия. Кремний карбид - эретү ноктасы, югары каты һәм коррозиягә каршы торучы керамик материал. Ул югары температурада искиткеч җылылык үткәрүчәнлеген, химик тотрыклылыгын һәм механик көчен күрсәтә, искиткеч киемгә һәм абразиягә каршы тора.

 


Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Ни өчен каты CVD SiC боҗрасы?

 

Каты CVD SiC боҗраларысәнәгать һәм фәнни өлкәләрдә югары температурада, коррозив һәм абразив шартларда киң кулланыла. Бу берничә куллану өлкәсендә мөһим роль уйный, шул исәптән:

1. Ярымүткәргеч җитештерү:Каты CVD SiC боҗраларыярымүткәргеч җиһазларны җылыту һәм суыту өчен, процессның төгәллеген һәм эзлеклелеген тәэмин итү өчен тотрыклы температураны контрольдә тоту өчен кулланырга мөмкин.

2. Оптоэлектроника: искиткеч җылылык үткәрүчәнлеге һәм югары температурага чыдамлыгы аркасында,Каты CVD SiC боҗраларыЛазерлар, оптик элемтә җиһазлары һәм оптик компонентлар өчен терәк һәм җылылык тарату материаллары буларак кулланылырга мөмкин.

3.

4. Химия сәнәгате: Каты CVD SiC боҗралары контейнерларда, торбаларда һәм реакторларда химик реакцияләрдә һәм катализатор процессларда коррозиягә каршы тору һәм химик тотрыклылык аркасында кулланылырга мөмкин.

 

 

Безнең өстенлек, нигә Семицераны сайларга?

China Кытай базарында иң яхшы сыйфат

 

Ood Сезгә һәрвакыт яхшы хезмәт, 7 * 24 сәгать

 

- Тапшыруның кыска датасы

 

- Кечкенә MOQ рәхим итегез һәм кабул ителде

 

OstКостом хезмәтләре

кварц җитештерү җиһазлары 4

Заявка

Эпитакси үсешне сизүче

Кремний / кремний карбид ваферлары электрон җайланмаларда куллану өчен берничә процесс үтәргә тиеш. Мөһим процесс - кремний / сик эпитакси, анда кремний / сик ваферлар графит нигезендә алып барыла. Семицераның кремний карбид белән капланган графит базасының махсус өстенлекләренә чиктән тыш югары чисталык, бердәм каплау һәм бик озын хезмәт срокы керә. Аларда шулай ук ​​югары химик каршылык һәм җылылык тотрыклылыгы бар.

 

LED чип җитештерү

MOCVD реакторының киң каплануы вакытында планета базасы яки ташучы субстрат ваферны хәрәкәт итә. Төп материалның эшләнеше каплау сыйфатына зур йогынты ясый, бу үз чиратында чипның сыну тизлегенә тәэсир итә. Семицераның кремний карбид белән капланган базасы югары сыйфатлы LED ваферларның җитештерү эффективлыгын арттыра һәм дулкын озынлыгының минимумын киметә. Без шулай ук ​​хәзерге вакытта кулланыла торган барлык MOCVD реакторлары өчен өстәмә графит компонентлары белән тәэмин итәбез. Без кремний карбид каплавы белән теләсә нинди компонентны каплый алабыз, компонентның диаметры 1,5М га кадәр булса да, без кремний карбид белән каплый алабыз.

Ярымүткәргеч кыры, оксидлаштыру диффузиясе процессы, Һ.б.

Ярымүткәргеч процессында оксидлашуны киңәйтү процессы югары продукт чисталыгын таләп итә, һәм Семицерада без кремний карбид өлешләренең күпчелеге өчен махсус һәм CVD каплау хезмәтләрен тәкъдим итәбез.

Түбәндәге рәсемдә Семицаның тупас эшкәртелгән кремний карбид плитасы һәм 100 эчендә чистартылган кремний карбид мич трубасы күрсәтелә.0дәрәҗәтузансызбүлмә. Безнең эшчеләр каплау алдыннан эшлиләр. Кремний карбидының чисталыгы 99,99% ка җитә ала, һәм каплауның чисталыгы 99,99995% тан зуррак.

 

Кремний карбид ярым әзер продукт

Чимал кремний карбид падле һәм чистартуда SiC процесс трубасы

SiC Tube

Кремний Карбид Вафер көймәсе CVD SiC капланган

Semi-cera 'CVD SiC Performace мәгълүматлары.

Ярым-Cera CVD SiC каплау мәгълүматлары
Чисталык
Семицера Эш урыны
Семицера эш урыны 2
Семицера склад йорты
Equipmentиһазлау машинасы
CNN эшкәртү, химик чистарту, CVD каплау
Безнең хезмәт

  • Алдагы:
  • Киләсе: