Семицераның үз-үзен үстерүеSiC керамик мөһер өлешезаманча ярымүткәргеч җитештерүнең югары стандартларына туры китерелгән. Бу мөһерләү өлеше югары җитештерүчәнлекне кулланакремний карбид (SiC)Экстремаль мохиттә искиткеч мөһер җитештерүне тәэмин итү өчен искиткеч киемгә каршы тору һәм химик тотрыклылыклы материал. Белән кушылганалюминий оксиды (Al2O3)һәмкремний нитрид (Si3N4), бу өлеш югары температуралы кушымталарда яхшы эшли һәм газ һәм сыеклык агып чыгудан саклый ала.
Кебек җиһазлар белән берлектә кулланылгандавафер көймәләрһәм вафер йөртүчеләр, СемицераSiC керамик мөһер өлешегомуми системаның эффективлыгын һәм ышанычлылыгын сизелерлек күтәрә ала. Аның югары температурага каршы торуы һәм коррозиягә каршы торуы аны югары төгәл ярымүткәргеч җитештерүдә алыштыргысыз компонентка әйләндерә, җитештерү процессында тотрыклылыкны һәм куркынычсызлыкны тәэмин итә.
Моннан тыш, бу мөһерләү өлешенең дизайны төрле җиһазларга туры килүен тәэмин итү өчен җентекләп оптимальләштерелгән, төрле җитештерү линияләрендә куллануны җиңеләйтә. Semicera-ның фәнни-тикшеренү коллективы технологик инновацияләрне пропагандалау өчен, тармактагы продуктларының көндәшлелеген тәэмин итү өстендә эшләвен дәвам итә.
Семисераны сайлауSiC керамик мөһер өлеше, сез югары җитештерүчәнлек һәм ышанычлылык комбинациясен алырсыз, сезгә нәтиҗәлерәк җитештерү процессларына һәм продуктның яхшы сыйфатына ирешергә булышыр. Semicera һәрвакыт клиентларга иң яхшы ярымүткәргеч чишелешләр һәм тармакның өзлексез үсешен һәм алгарышын алга этәрү өчен хезмәт күрсәтергә әзер.
China Кытай базарында иң яхшы сыйфат
Ood Сезгә һәрвакыт яхшы хезмәт, 7 * 24 сәгать
- Тапшыруның кыска датасы
- Кечкенә MOQ рәхим итегез һәм кабул ителде
OstКостом хезмәтләре
Эпитакси үсешне сизүче
Кремний / кремний карбид ваферлары электрон җайланмаларда куллану өчен берничә процесс үтәргә тиеш. Мөһим процесс - кремний / сик эпитакси, анда кремний / сик ваферлар графит нигезендә алып барыла. Семицераның кремний карбид белән капланган графит базасының махсус өстенлекләренә чиктән тыш югары чисталык, бердәм каплау һәм бик озын хезмәт срокы керә. Аларда шулай ук югары химик каршылык һәм җылылык тотрыклылыгы бар.
LED чип җитештерү
MOCVD реакторының киң каплануы вакытында планета базасы яки ташучы субстрат ваферны хәрәкәт итә. Төп материалның эшләнеше каплау сыйфатына зур йогынты ясый, бу үз чиратында чипның сыну тизлегенә тәэсир итә. Семицераның кремний карбид белән капланган базасы югары сыйфатлы LED ваферларның җитештерү эффективлыгын арттыра һәм дулкын озынлыгының минимумын киметә. Без шулай ук хәзерге вакытта кулланыла торган барлык MOCVD реакторлары өчен өстәмә графит компонентлары белән тәэмин итәбез. Без кремний карбид каплавы белән теләсә нинди компонентны каплый алабыз, компонентның диаметры 1,5М га кадәр булса да, без кремний карбид белән каплый алабыз.
Ярымүткәргеч кыры, оксидлаштыру диффузиясе процессы, Һ.б.
Ярымүткәргеч процессында оксидлашуны киңәйтү процессы югары продукт чисталыгын таләп итә, һәм Семицерада без кремний карбид өлешләренең күпчелеге өчен махсус һәм CVD каплау хезмәтләрен тәкъдим итәбез.
Түбәндәге рәсемдә Семицаның тупас эшкәртелгән кремний карбид плитасы һәм 100 эчендә чистартылган кремний карбид мич трубасы күрсәтелә.0дәрәҗәтузансызбүлмә. Безнең эшчеләр каплау алдыннан эшлиләр. Кремний карбидының чисталыгы 99,99% ка җитә ала, һәм каплауның чисталыгы 99,99995% тан зуррак.
Чимал кремний карбид падле һәм чистартуда SiC процесс трубасы
Кремний Карбид Вафер көймәсе CVD SiC капланган
