Кремний карбид ваферычимал буларак югары чисталык кремний порошогыннан һәм югары чисталыклы углерод порошогыннан ясалган, һәм кремний карбид кристалл физик парларны күчерү ысулы белән үстерелә һәм эшкәртелә.кремний карбид ваферы.
Raw Чимал синтезы.Purгары чисталык кремний порошогы һәм югары чисталыклы углерод порошогы билгеле бер катнашу буенча кушылды, һәм кремний карбид кисәкчәләре 2000 above өстендә югары температурада синтезланды.Ushedимерү, чистарту һәм башка процесслардан соң, кристалл үсеш таләпләренә туры килгән югары чисталык кремний карбид порошогы чималы әзерләнә.
St Бәллүр үсеш.Чимал буларак югары чисталыклы СИС порошогын кулланып, кристалл физик парларны күчерү (PVT) ысулы белән үз-үзен үстергән кристалл үсеш мичен кулланып үстерелде.
Ot ингот эшкәртү.Алынган кремний карбид кристалл ингот рентген бер кристалл ориенаторга юнәлтелгән, аннары җиргә әйләндерелә һәм стандарт диаметрлы кремний карбид кристаллына эшкәртелә.
④ Бәллүр кисү.Күп сызыклы кисү җиһазларын кулланып, кремний карбид кристаллары калынлыгы 1 ммнан артмаган нечкә табакларга киселә.
Ip Чип тарту.Вафер төрле кисәкчәләр зурлыгында бриллиант тарту сыеклыклары белән кирәкле яссылыкка һәм тупаслыкка нигезләнә.
Ip Чипны бизәү.Surfaceир өстенә зыян китермәгән кремний карбид механик полировка һәм химик механик полировка ярдәмендә алынган.
Ip Чипны ачыклау.Оптик микроскоп, рентген дифрактометр, атом көче микроскопы, контактсыз каршылык сынаучы, өслекнең яссылыгын сынаучы, микротубул тыгызлыгын, кристаллның сыйфатын, өслегенең тупаслыгын, каршылыгын, сугыш битен, иярүен, калынлыгы үзгәрү, өслекне сызу һәм кремний карбид ваферының башка параметрлары.Шуңа карап, чипның сыйфаты билгеләнә.
Ip Чипны чистарту.Кремний карбид полировкасы таблицасы чистарту агенты һәм саф су белән чистартыла, калдыкларны чистарту полосасында һәм башка өслек пычракларын чистарту өчен, аннары вафер ультра югары чисталык азот һәм киптерү машинасы белән шартлатыла һәм киптерелә;Вафер супер чиста камерада чиста таблицада урнаштырылган, кремний карбид вафины аскы агымны формалаштыру өчен.
Чип зурлыгы, кристалл үсеше һәм эшкәртү технологиясе авыррак, һәм агымдагы җайланмаларның җитештерү эффективлыгы никадәр югары булса, җайланма бәясе түбәнрәк.
Пост вакыты: 24-2023 ноябрь