Кремний карбид ваферычимал кебек югары чисталык кремний порошогыннан һәм югары чисталыклы углерод порошогыннан ясалган, һәм кремний карбид кристалл физик парларны күчерү ысулы белән үстерелә һәм эшкәртелә.кремний карбид ваферы.
Raw Чимал синтезы. Purгары чисталык кремний порошогы һәм югары чисталыклы углерод порошогы билгеле бер катнашу буенча кушылды, һәм кремний карбид кисәкчәләре 2000 above өстендә югары температурада синтезланды. Ushedимерү, чистарту һәм башка процесслардан соң, кристалл үсеш таләпләренә туры килгән югары чисталык кремний карбид порошогы чималы әзерләнә.
② Бәллүр үсеш. Чимал буларак югары чисталыклы СИС порошогын кулланып, кристалл физик парларны күчерү (PVT) ысулы белән үз-үзен үстергән кристалл үсеш мичен кулланып үстерелде.
Ot ингот эшкәртү. Алынган кремний карбид кристалл ингот рентген бер кристалл ориенатор белән юнәлтелгән, аннары җиргә әйләндерелә һәм стандарт диаметрлы кремний карбид кристаллына эшкәртелә.
④ Бәллүр кисү. Күп сызыклы кисү җиһазларын кулланып, кремний карбид кристаллары калынлыгы 1 ммнан артмаган нечкә табакларга киселә.
Ip Чип тарту. Вафер төрле кисәкчәләр зурлыгында бриллиант тарту сыеклыклары белән кирәкле яссылыкка һәм тупаслыкка нигезләнә.
Ip Чипны бизәү. Surfaceир өстенә зыян китермәгән кремний карбид механик полировка һәм химик механик полировка ярдәмендә алынган.
Ip Чипны ачыклау. Оптик микроскоп, рентген дифрактометр, атом көче микроскопы, контакт булмаган каршылык сынаучы, өслекнең яссылыгын сынаучы, өслек җитешсезлеген комплекслы сынаучы һәм микротубул тыгызлыгын, кристаллның сыйфатын, өслегенең тупаслыгын, каршылыгын, сугыш битен, иярүен, калынлыгы үзгәрү, өслекне сызу һәм кремний карбид ваферының башка параметрлары. Шуңа карап, чипның сыйфаты билгеләнә.
Ip Чипны чистарту. Кремний карбид белән бизәү таблицасы чистарту агенты һәм чиста су белән чистартыла, калдыкларны чистарту полосасында һәм башка өслек пычракларын чистарту өчен, аннары вафер ультра югары чисталык азот һәм киптерү машинасы белән шартлатыла һәм киптерелә; Вафер супер чиста камерадагы чиста таблицага салынган, кулланырга әзер кремний карбид ваферы.
Чип зурлыгы зуррак, кристалл үсеше һәм эшкәртү технологиясе авыррак, һәм агымдагы җайланмаларның җитештерү эффективлыгы никадәр югары булса, җайланма бәясе түбәнрәк.
Пост вакыты: 24-2023 ноябрь