Төп компонентларының берсе буларакMOCVD җиһазлары, графит базасы - субстратның йөртүче һәм җылыту органы, ул кино материалының бердәмлеген һәм чисталыгын турыдан-туры билгели, шуңа күрә аның сыйфаты эпитаксиаль таблицаны әзерләүгә турыдан-туры тәэсир итә, һәм шул ук вакытта, санның артуы белән. куллану һәм эш шартларының үзгәрүе, куллану өчен булган кием бик җиңел.
Графит җылылык үткәрүчәнлеге һәм тотрыклылыгы булса да, аның төп компоненты буларак яхшы өстенлеге барMOCVD җиһазлары, ләкин производство процессында графит коррозив газлар һәм металл органикалар калдыклары аркасында порошокны коррупцияләячәк, һәм графит базасының хезмәт итү вакыты бик кыскартылачак.Шул ук вакытта, төшкән графит порошогы чипның пычрануына китерәчәк.
Каплау технологиясенең барлыкка килүе җир өстендәге порошокны урнаштырырга, җылылык үткәрүчәнлеген арттырырга һәм бу проблеманы чишүнең төп технологиясенә әверелгән җылылык таратуны тигезләргә мөмкин.Графит базасыMOCVD җиһазларыәйләнә-тирә мохитне куллану, графит нигез өслеге каплау түбәндәге үзенчәлекләргә туры килергә тиеш:
(1) Графит нигезен тулысынча урап була, тыгызлыгы яхшы, югыйсә графит нигезен коррозив газда коррозияләү җиңел.
(2) Берничә югары температура һәм түбән температура циклыннан соң каплау җиңел булмасын өчен, графит базасы белән комбинация көче бик югары.
(3) highгары температурада һәм коррозив атмосферада каплау уңышсызлыгы өчен яхшы химик тотрыклылык бар.
SiC коррозиягә каршы тору, югары җылылык үткәрүчәнлеге, җылылык шокына каршы тору һәм югары химик тотрыклылык өстенлекләренә ия, һәм GaN эпитаксиаль атмосферада яхшы эшли ала.Моннан тыш, SiC җылылык киңәйтү коэффициенты графитныкыннан бик аз аерылып тора, шуңа күрә SiC графит нигезенең өслек каплавы өчен өстенлекле материал.
Хәзерге вакытта гомуми SiC нигездә 3C, 4H һәм 6H тибы, һәм SiC төрле кристалл төрләрен куллану төрле.Мәсәлән, 4H-SiC югары көчле җайланмалар җитештерә ала;6H-SiC - иң тотрыклы һәм фотоэлектр җайланмалары җитештерә ала;GaN белән охшаш структурасы булганга, 3C-SiC GaN эпитаксиаль катламын чыгару һәм SiC-GaN RF җайланмалары җитештерү өчен кулланылырга мөмкин.3C-SiC шулай ук гадәттә билгелеβ-SiC, һәм мөһим куллануβ-SiC кино һәм каплау материалы кебекβ-SiC хәзерге вакытта каплау өчен төп материал.
Пост вакыты: Ноябрь-06-2023