Хәзерге вакытта SiC каплауны әзерләү ысулларына, нигездә, гель-сол ысулы, урнаштыру ысулы, кисточка каплау ысулы, плазма сиптерү ысулы, химик газ реакциясе ысулы (CVR) һәм химик парны чүпләү ысулы керә.
Урнаштыру ысулы:
Бу ысул - югары температуралы каты фаза синтерингының бер төре, ул нигездә Si порошогы һәм С порошогы катнашмасын кертү порошогы итеп куллана, графит матрицасы порошокка урнаштырыла, һәм югары температураны синтерлау инерт газында үткәрелә. , һәм, ниһаять, графит матрицасы өслегендә SiC капламы алына.Процесс гади һәм каплау белән субстрат арасындагы комбинация яхшы, ләкин калынлык юнәлеше буенча каплауның бердәмлеге начар, бу күбрәк тишекләр чыгару җиңел һәм начар оксидлашуга каршы тора.
Чиста каплау ысулы:
Чиста каплау ысулы, нигездә, сыек чималны графит матрицасы өслегендә чистарту, аннары чималны билгеле температурада дәвалау.Процесс гади һәм бәясе аз, ләкин чиста каплау ысулы белән әзерләнгән каплау субстрат белән берлектә зәгыйфь, каплау бердәмлеге начар, каплау нечкә һәм оксидлашуга каршы тору түбән, һәм ярдәм итәр өчен башка ысуллар кирәк. it.
Плазманы сиптерү ысулы:
Плазманы сиптерү ысулы, нигездә, эретелгән яки ярым эретелгән чималны графит матрицасы өслегенә плазма мылтыгы белән сиптерү, аннары ныгыту һәм каплау өчен бәйләү.Метод эшләү бик гади һәм чагыштырмача тыгыз кремний карбид капламасын әзерли ала, ләкин метод белән әзерләнгән кремний карбид каплавы еш кына бик зәгыйфь һәм зәгыйфь оксидлашуга каршы тора, шуңа күрә ул гадәттә SiC композит капламасын яхшырту өчен кулланыла. каплау сыйфаты.
Гель-сол ысулы:
Гель-сол ысулы, нигездә, матрицаның өслеген каплаган бердәм һәм үтә күренмәле эремә әзерләү, гельгә киптерү, аннары каплау өчен синтерлау.Бу ысул эшләү гади һәм бәясе аз, ләкин җитештерелгән каплауның кайбер җитешсезлекләре бар, мәсәлән, түбән җылылык шокына каршы тору һәм җиңел ярылу, шуңа күрә аны киң кулланып булмый.
Химик газ реакциясе (CVR):
CVR, нигездә, Si һәм SiO2 порошогын кулланып, югары температурада SiO пар чыгару өчен, һәм C материал субстратында химик реакцияләр сериясе барлыкка килә.Бу ысул белән әзерләнгән SiC капламы субстрат белән тыгыз бәйләнгән, ләкин реакция температурасы югарырак һәм бәясе югарырак.
Химик пар парламенты (CVD):
Хәзерге вакытта, CVD - субстрат өслегендә SiC каплау әзерләү өчен төп технология.Төп процесс - субстрат өслегендә газ фазасы реактив материалының физик һәм химик реакцияләре сериясе, һәм ниһаять, SiC капламы субстрат өслегендә чүпләнү белән әзерләнә.CVD технологиясе белән әзерләнгән SiC капламы субстрат өслеге белән тыгыз бәйләнгән, ул субстрат материалның оксидлашу каршылыгын һәм аблиатив каршылыгын эффектив яхшырта ала, ләкин бу ысулның чүпләнү вакыты озынрак, һәм реакция газы билгеле бер агулы. газ.
Пост вакыты: Ноябрь-06-2023