Бүгенге электрон технология өлкәсендә ярымүткәргеч материаллар мөһим роль уйный.Алар арасында кремний карбид (SiC) киң үткәргеч ярымүткәргеч материал буларак, югары ватылу электр кыры, югары туену тизлеге, югары җылылык үткәрүчәнлеге һ.б. кебек яхшы җитештерү өстенлекләре белән акрынлап тикшерүчеләр һәм инженерлар игътибар үзәгендә тора.Кремний карбид эпитаксиаль диск, аның мөһим өлеше буларак, зур куллану потенциалын күрсәтте.
一 、 эпитаксиаль диск эше: тулы өстенлекләр
1. Ультра югары ватылу электр кыры: традицион кремний материаллары белән чагыштырганда, кремний карбидының өзелгән электр кыры 10 тапкырга артык.Димәк, шул ук көчәнеш шартларында кремний карбид эпитаксиаль дискларын кулланган электрон җайланмалар югары агымнарга каршы тора ала, шуның белән югары көчәнеш, югары ешлыклы, көчле электрон җайланмалар булдыра.
2. speedгары тизлектә туену тизлеге: кремний карбидының туену тизлеге кремнийныкыннан 2 тапкырга күбрәк.Highгары температурада һәм югары тизлектә эшләп, кремний карбид эпитаксиаль диск яхшырак эшли, бу электрон җайланмаларның тотрыклылыгын һәм ышанычлылыгын сизелерлек яхшырта.
3. efficiencyгары эффективлык җылылык үткәрүчәнлеге: кремний карбидының җылылык үткәрүчәнлеге кремнийныкыннан 3 тапкырга күбрәк.Бу үзенчәлек электрон җайланмаларга өзлексез югары көчле эш вакытында җылылыкны яхшырак таратырга мөмкинлек бирә, шуның белән артык кызып китүдән саклый һәм җайланма куркынычсызлыгын яхшырта.
4. Искиткеч химик тотрыклылык: югары температура, югары басым һәм көчле нурланыш кебек экстремаль шартларда кремний карбидының эшләве элеккеге кебек тотрыклы.Бу үзенчәлек кремний карбид эпитаксиаль дискка катлаулы шартларда яхшы эшне сакларга мөмкинлек бирә.
二 、 җитештерү процессы: җентекләп уеп ясалган
СИП эпитаксиаль диск җитештерүнең төп процессларына физик пар парламенты (PVD), химик пар парламенты (CVD) һәм эпитаксиаль үсеш керә.Бу процессларның һәрберсенең үз характеристикалары бар һәм иң яхшы нәтиҗәләргә ирешү өчен төрле параметрларны төгәл контрольдә тоту таләп ителә.
1. ПВД процессы: Парга әйләнү яки бөтерелү һәм башка ысуллар ярдәмендә SiC максаты фильм формалаштыру өчен субстратка салынган.Бу ысул белән әзерләнгән фильмның чисталыгы һәм яхшы кристалллыгы бар, ләкин җитештерү тизлеге чагыштырмача әкрен.
2. CVD процессы: кремний карбид чыганагы газын югары температурада ярып, нечкә пленка формалаштыру өчен субстратка салына.Бу ысул белән әзерләнгән фильмның калынлыгы һәм бердәмлеге контрольдә тотыла, ләкин чисталыгы һәм кристалллыгы начар.
3. Эпитаксиаль үсеш: химик парны чүпләү ысулы белән монокристалл кремний яки башка монокристалл материалларда SiC эпитаксиаль катламның үсеше.Бу ысул белән әзерләнгән эпитаксиаль катлам субстрат материал белән яхшы туры килә һәм искиткеч эш итә, ләкин бәясе чагыштырмача зур.
三 、 Заявка перспективасы: Киләчәкне яктырт
Электроника технологияләренең өзлексез үсеше һәм югары җитештерүчәнлеккә һәм югары ышанычлы электрон җайланмаларга ихтыяҗ арту белән, кремний карбид эпитаксиаль диск ярымүткәргеч җайланмалар җитештерүдә киң куллану перспективасына ия.Ул югары ешлыктагы югары көчле ярымүткәргеч җайланмалар җитештерүдә киң кулланыла, мәсәлән, электр электрон ачкычлары, инвертерлар, төзәткечләр һ.б. Моннан тыш, ул кояш күзәнәкләрендә, LED һәм башка өлкәләрдә дә киң кулланыла.
Уникаль җитештерү өстенлекләре һәм җитештерү процессын өзлексез камилләштерү белән, кремний карбид эпитаксиаль диск ярымүткәргеч өлкәсендә зур потенциалын әкренләп күрсәтә.Киләчәктә фән һәм технология киләчәктә ул мөһимрәк роль уйныйчак дип ышанырга нигез бар.
Пост вакыты: 28-2023 ноябрь