Үзенчәлекләр:
Ярымүткәргеч үзлекләре булган керамиканың каршылыгы якынча 10-5 ~ 107ωсм, һәм керамик материалларның ярымүткәргеч үзлекләрен допинг яки стохиометрик тайпылыш аркасында килеп чыккан такталар җитешсезлекләрен китереп алырга мөмкин.Бу ысулны кулланып керамикага TiO2 керә,
ZnO, CdS, BaTiO3, Fe2O3, Cr2O3 һәм SiC.Төрле характеристикаларыярымүткәргеч керамикаАларның электр үткәрүчәнлеге әйләнә-тирә мохит белән үзгәрә, алар төрле керамик сизгер җайланмалар ясау өчен кулланыла ала.
Heatылылыкка сизгер, газга сизгер, дымга сизгер, басымга сизгер, яктылыкка сизгер һәм башка сенсорлар.Ярымүткәргеч шпинель материаллары, Fe3O4 кебек, контроль каты эремәләрдә MgAl2O4 кебек үткәргеч булмаган шпинель материаллары белән кушылалар.
MgCr2O4, һәм Zr2TiO4, термистор буларак кулланылырга мөмкин, алар температура белән үзгәргән каршылык җайланмалары белән контрольдә тотыла.ZnO Bi, Mn, Co һәм Cr кебек оксидлар өстәп үзгәртелергә мөмкин.
Бу оксидларның күбесе ZnOда каты эрелмәгән, ләкин ашлык чигендә бозылу, ZnO варистор керамик материалларын алу өчен, барьер катламы формалаштыру, һәм варистор керамикасында иң яхшы күрсәткеч булган материал.
SiC допингы (кеше углерод кара, графит порошогы кебек) әзерләнә алаярымүткәргеч материалларюгары температураның тотрыклылыгы белән, төрле каршылык җылыту элементлары буларак кулланыла, ягъни югары температуралы электр мичләрендә кремний углерод чыбыклары.Теләгән нәрсәгә ирешү өчен SiC-ның каршылыгын һәм кисемтәсен контрольдә тотыгыз
Эш шартлары (1500 ° C кадәр), аның каршылыгын арттыру һәм җылыту элементының кисемтәләрен киметү барлыкка килгән җылылыкны арттырачак.Airавада кремний углерод таягы оксидлашу реакциясен барлыкка китерәчәк, температураны куллану гадәттә 1600 ° C белән чикләнә, гади кремний углерод таягы.
Куркынычсыз эш температурасы 1350 ° C.SiC'да Si атомы N атомы белән алыштырыла, чөнки N күбрәк электронга ия, артык электрон бар, һәм аның энергия дәрәҗәсе түбән үткәргеч полосасына якын һәм үткәрү полосасына күтәрелү җиңел, шуңа күрә бу энергия торышы донор дәрәҗәсе дип тә атала, бу ярты
Conductткәргечләр N тибындагы ярымүткәргечләр яки электрон рәвештә ярымүткәргечләр.Si атомын алыштыру өчен Al атомы кулланылса, электрон булмаганлыктан, формалашкан матди энергия торышы югарыдагы валент электрон полосасына якын, электроннарны кабул итү җиңел, шуңа күрә кабул итүче дип атала.
Электр үткәрә алган валентлык полосасында буш урын калдырган төп энергия дәрәҗәсе, чөнки буш позиция уңай корылма йөртүче белән бер үк эш итә, P тибындагы ярымүткәргеч яки тишек ярымүткәргеч дип атала (Х.Сарман, 1989).
Пост вакыты: 02-2023 сентябрь