Temperatureгары температура һәм коррозиягә чыдам LED Кремний Карбид эфир подносы (ICP эфир плиткасы)

Кыска тасвирлау:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. - вафер һәм алдынгы ярымүткәргеч куллану өчен махсуслашкан әйдәп баручы.Без ярымүткәргеч җитештерүгә югары сыйфатлы, ышанычлы һәм инновацион продуктлар белән тәэмин итүгә багышланган,фотоволтаик индустрияһәм башка бәйләнешле өлкәләр.

Безнең продукт линиясенә SiC / TaC капланган графит продуктлары һәм керамик продуктлар керә, кремний карбид, кремний нитрид, алюминий оксиды һ.б. кебек төрле материалларны үз эченә ала.

Ышанычлы тәэмин итүче буларак, без куллану процессында куллану материалларының мөһимлеген аңлыйбыз, һәм без клиентларның ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен иң югары сыйфатлы стандартларга туры килгән продуктлар җибәрергә әзер.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Җитештермә тасвирламасы

Безнең компания графит, керамика һәм башка материаллар өслегендә CVD ысулы белән SiC каплау процессы хезмәтләрен күрсәтә, шулай итеп углерод һәм кремний булган махсус газлар югары температурада реакция ясыйлар, югары чисталык SiC молекулалары, капланган материаллар өслегендә урнашкан молекулалар, СИС саклагыч катламын формалаштыру.

Төп үзенчәлекләр:

1. temperatureгары температураның оксидлашу каршылыгы:

температура 1600 С булганда, оксидлашуга каршы тору бик яхшы.

2. purгары чисталык: химик парларны югары температурада хлорлаштыру шартларында ясыйлар.

3. Эрозиягә каршы тору: югары каты, компакт өслек, нечкә кисәкчәләр.

4. Коррозиягә каршы тору: кислота, алкалы, тоз һәм органик реагентлар.

1111111 斯蒂芬森

1111111111111111111

CVD-SIC каплауның төп үзенчәлекләре

SiC-CVD үзенчәлекләре
Бәллүр структурасы	FCC β фаза
Тыгызлыгы	г / см ³	3.21
Каты	Викерс каты	2500
Ашлык күләме	μm	2 ~ 10
Химик чисталык	%	99.99995
Atылылык сыйдырышлыгы	J · кг-1 · К-1	640
Сублимация температурасы	℃	2700
Флексур көч	MPa (ТР 4 балл)	415
Яшь модуль	Gpa (4pt бөкләнү, 1300 ℃)	430
Rылылык киңәюе (CTE)	10-6К-1	4.5
Rылылык үткәрүчәнлеге	(W / mK)	300