Продукция тасвирламасы
Безнең компания графит, керамика һәм башка материаллар өстендә CVD ысулы белән SiC каплау процессы хезмәтләрен күрсәтә, шулай итеп углерод һәм кремний булган махсус газлар югары температурада реакция ясыйлар, югары чисталык SiC молекулалары, капланган материаллар өслегендә урнашкан молекулалар, СИС саклагыч катламын формалаштыру.
Төп үзенчәлекләр:
1. temperatureгары температураның оксидлашу каршылыгы:
температура 1600 С булганда, оксидлашуга каршы тору бик яхшы.
2. Purгары чисталык: югары температурада хлорлаштыру шартларында химик пар парламенты белән ясалган.
3. Эрозиягә каршы тору: югары каты, компакт өслек, нечкә кисәкчәләр.
4. Коррозиягә каршы тору: кислота, алкалы, тоз һәм органик реагентлар.
1111111 斯蒂芬森
1111111111111111111
1111111111111111111
1111111111111111111
1111111111111111111
CVD-SIC каплауның төп үзенчәлекләре
| SiC-CVD үзенчәлекләре | ||
| Бәллүр структурасы | FCC β фаза | |
| Тыгызлыгы | г / см ³ | 3.21 |
| Каты | Викерс каты | 2500 |
| Ашлык күләме | μm | 2 ~ 10 |
| Химик чисталык | % | 99.99995 |
| Atылылык сыйдырышлыгы | J · кг-1 · К-1 | 640 |
| Сублимация температурасы | ℃ | 2700 |
| Флексур көч | MPa (ТР 4 балл) | 415 |
| Яшь модуль | Gpa (4pt бөкләнү, 1300 ℃) | 430 |
| Rылылык киңәюе (CTE) | 10-6К-1 | 4.5 |
| Rылылык үткәрүчәнлеге | (W / mK) | 300 |
