Семицера тәкъдим итү белән горурланаGa2O3СубстратЭлектроника һәм оптоэлектроника революциясенә әзерләнгән заманча материал.Галлий оксиды (Га2O3) субстратларультра киң киңлеге белән билгеле, аларны югары көчле һәм югары ешлыклы җайланмалар өчен идеаль итә.
Төп үзенчәлекләр:
• Ultra-Wide Bandgap: Га2O3 якынча 4,8 eV тасма тәкъдим итә, Кремний һәм GaN кебек традицион материаллар белән чагыштырганда, югары көчәнеш һәм температураны эшкәртү сәләтен сизелерлек арттыра.
• Breakгары өзелү көчәнеше: Гадәттән тыш өзелү кыры беләнGa2O3Субстратзуррак эффективлык һәм ышанычлылык тәэмин итеп, югары көчәнешле эш таләп итә торган җайланмалар өчен бик яхшы.
• rылылык тотрыклылыгы: материалның өстен җылылык тотрыклылыгы аны экстремаль шартларда куллану өчен яраклы итә, хәтта катлаулы шартларда да эшне саклый.
• Күпкырлы кушымталар: югары эффектив электр транзисторларында, УВ оптоэлектрон җайланмаларда һәм башкаларда куллану өчен идеаль, алдынгы электрон системалар өчен ныклы нигез бирә.
Ярымүткәргеч технологиянең киләчәген Semicera's белән татыгызGa2O3Субстрат. Powerгары көчле һәм югары ешлыктагы электрониканың үсә барган таләпләрен канәгатьләндерү өчен эшләнгән бу субстрат эш башкару һәм ныклык өчен яңа стандарт куя. Сезнең иң катлаулы кушымталарыгыз өчен инновацион чишелешләр китерер өчен Semiceraга ышаныгыз.
| Предметлар | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| Бәллүр параметрлар | |||
| Политип | 4H | ||
| Faceир өстендә ориентация хата | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Электр параметрлары | |||
| Допант | азот | ||
| Каршылык | 0.015-0.025ohm · см | ||
| Механик параметрлар | |||
| Диаметр | 150,0 ± 0,2 мм | ||
| Калынлык | 350 ± 25 мм | ||
| Беренчел яссы юнәлеш | [1-100] ± 5 ° | ||
| Беренчел яссы озынлык | 47,5 ± 1,5 мм | ||
| Икенче фатир | Беркем дә юк | ||
| TTV | ≤5 мм | ≤10 мм | ≤15 мм |
| ЛТВ | ≤3 μm (5 мм * 5 мм) | ≤5 μm (5 мм * 5 мм) | ≤10 μm (5 мм * 5 мм) |
| Bowәя | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Сугыш | ≤35 мм | ≤45 μm | ≤55 мм |
| Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Структурасы | |||
| Микропип тыгызлыгы | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Металл пычраклары | ≤5E10атом / см2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / см2 | NA |
| TSD | 00500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Алгы сыйфат | |||
| Фронт | Si | ||
| Faceир өсте бетү | Si-face CMP | ||
| Кисәкчәләр | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Сызулар | ≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр | Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA |
| Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану | Беркем дә юк | NA | |
| Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр | Беркем дә юк | ||
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤20% | Кумулятив мәйдан ≤30% |
| Алгы лазер маркировкасы | Беркем дә юк | ||
| Арткы сыйфат | |||
| Артка тәмамлау | C-йөзле CMP | ||
| Сызулар | ≤5ea / мм, Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA | |
| Арткы җитешсезлекләр (кыр чиплары / индекс) | Беркем дә юк | ||
| Арткы тупаслык | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Арткы лазер маркировкасы | 1 мм (өске кырдан) | ||
| Кыр | |||
| Кыр | Чамфер | ||
| Пакетлау | |||
| Пакетлау | Эпи вакуум упаковка белән әзер Күп ваферлы кассета төрү | ||
| * Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин. | |||
