Семицерагорурлык тәкъдим итәGa2O3Эпитакси, электроника һәм оптоэлектроника чикләрен этәрү өчен эшләнгән заманча чишелеш. Бу алдынгы эпитаксиаль технология Галлий Оксидының уникаль үзенчәлекләрен куллана2O3) заявкаларда югары күрсәткечләр китерү.
Төп үзенчәлекләр:
• Гадәттән тыш киң тасма: Ga2O3Эпитаксиюгары вольтлы көчәнешләрне һәм югары көчле мохиттә эффектив эшләргә мөмкинлек бирүче ультра киң киңлекне үз эченә ала.
•Highгары җылылык үткәрүчәнлеге: Эпитаксиаль катлам искиткеч җылылык үткәрүчәнлеген тәэмин итә, хәтта югары температура шартларында да тотрыклы эшләүне тәэмин итә, аны югары ешлыклы җайланмалар өчен идеаль итә.
•Materialгары материал сыйфаты: Минималь җитешсезлекләр белән югары кристалл сыйфатына ирешегез, оптималь җайланманың эшләвен һәм озын гомерен тәэмин итегез, аеруча электр транзисторлары һәм УВ детекторлары кебек критик кушымталарда.
•Кушымталарда күптөрлелек: Электроника, RF кушымталары, оптоэлектроника өчен бик яраклы, киләсе буын ярымүткәргеч җайланмалары өчен ышанычлы нигез бирә.
Потенциалын ачуGa2O3ЭпитаксиСемицераның инновацион чишелешләре белән. Безнең эпитаксиаль продуктлар иң югары сыйфат һәм эш стандартларына туры китереп эшләнгән, сезнең җайланмалар максималь эффективлык һәм ышанычлылык белән эшләргә мөмкинлек бирә. Заманча ярымүткәргеч технологиясе өчен Семицераны сайлагыз.
| Предметлар | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| Бәллүр параметрлар | |||
| Политип | 4H | ||
| Faceир өстендә ориентация хата | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Электр параметрлары | |||
| Допант | азот | ||
| Каршылык | 0.015-0.025ohm · см | ||
| Механик параметрлар | |||
| Диаметр | 150,0 ± 0,2 мм | ||
| Калынлык | 350 ± 25 мм | ||
| Беренчел яссы юнәлеш | [1-100] ± 5 ° | ||
| Беренчел яссы озынлык | 47,5 ± 1,5 мм | ||
| Икенче фатир | Беркем дә юк | ||
| TTV | ≤5 мм | ≤10 мм | ≤15 мм |
| ЛТВ | ≤3 μm (5 мм * 5 мм) | ≤5 μm (5 мм * 5 мм) | ≤10 μm (5 мм * 5 мм) |
| Bowәя | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Сугыш | ≤35 мм | ≤45 μm | ≤55 мм |
| Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Структурасы | |||
| Микропип тыгызлыгы | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Металл пычраклары | ≤5E10атом / см2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / см2 | NA |
| TSD | 00500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Алгы сыйфат | |||
| Фронт | Si | ||
| Faceир өсте бетү | Si-face CMP | ||
| Кисәкчәләр | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Сызулар | ≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр | Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA |
| Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану | Беркем дә юк | NA | |
| Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр | Беркем дә юк | ||
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤20% | Кумулятив мәйдан ≤30% |
| Алгы лазер маркировкасы | Беркем дә юк | ||
| Арткы сыйфат | |||
| Артка тәмамлау | C-йөзле CMP | ||
| Сызулар | ≤5ea / мм, Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA | |
| Арткы җитешсезлекләр (кыр чиплары / индекс) | Беркем дә юк | ||
| Арткы тупаслык | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Арткы лазер маркировкасы | 1 мм (өске кырдан) | ||
| Кыр | |||
| Кыр | Чамфер | ||
| Пакетлау | |||
| Пакетлау | Эпи вакуум упаковка белән әзер Күп ваферлы кассета төрү | ||
| * Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин. | |||
