ФокусCVD SiC боҗрасыкремний карбид (SiC) боҗралы материал, Фокус Химик Пар Парлау (Фокус CVD) технологиясе белән әзерләнгән.
ФокусCVD SiC боҗрасыбик яхшы күрсәткечләргә ия. Беренчедән, ул югары каты, эретү ноктасы һәм югары температурага каршы тору, экстремаль температура шартларында тотрыклылыкны һәм структур бөтенлекне саклый ала. Икенчедән, ФокусCVD SiC боҗрасыискиткеч химик тотрыклылык һәм коррозиягә каршы тору, һәм кислоталар һәм эшкәртүләр кебек коррозицион медиага югары каршылыклы. Моннан тыш, ул шулай ук искиткеч җылылык үткәрүчәнлеге һәм механик көче бар, ул югары температурада, югары басымда һәм коррозив мохиттә куллану таләпләренә яраклы.
ФокусCVD SiC боҗрасыкүп өлкәләрдә киң кулланыла. Ул еш җылылык изоляциясе һәм югары температуралы мичләр, вакуум җайланмалары һәм химик реакторлар кебек югары температура җиһазларын саклау материаллары өчен кулланыла. Моннан тыш, ФокусCVD SiC боҗрасышулай ук оптоэлектроника, ярымүткәргеч җитештерүдә, төгәл техника һәм аэрокосмоста кулланылырга мөмкин, югары җитештерүчән экологик толерантлык һәм ышанычлылык тәэмин итә.
China Кытай базарында иң яхшы сыйфат
Ood Сезгә һәрвакыт яхшы хезмәт, 7 * 24 сәгать
- Тапшыруның кыска датасы
- Кечкенә MOQ рәхим итегез һәм кабул ителде
OstКостом хезмәтләре
Эпитакси үсешне сизүче
Кремний / кремний карбид ваферлары электрон җайланмаларда куллану өчен берничә процесс үтәргә тиеш. Мөһим процесс - кремний / сик эпитакси, анда кремний / сик ваферлар графит нигезендә алып барыла. Семицераның кремний карбид белән капланган графит базасының махсус өстенлекләренә чиктән тыш югары чисталык, бердәм каплау һәм бик озын хезмәт срокы керә. Аларда шулай ук югары химик каршылык һәм җылылык тотрыклылыгы бар.
LED чип җитештерү
MOCVD реакторының киң каплануы вакытында планета базасы яки ташучы субстрат ваферны хәрәкәт итә. Төп материалның эшләнеше каплау сыйфатына зур йогынты ясый, бу үз чиратында чипның сыну тизлегенә тәэсир итә. Семицераның кремний карбид белән капланган базасы югары сыйфатлы LED ваферларның җитештерү эффективлыгын арттыра һәм дулкын озынлыгының минимумын киметә. Без шулай ук хәзерге вакытта кулланыла торган барлык MOCVD реакторлары өчен өстәмә графит компонентлары белән тәэмин итәбез. Без кремний карбид каплавы белән теләсә нинди компонентны каплый алабыз, компонентның диаметры 1,5М га кадәр булса да, без кремний карбид белән каплый алабыз.
Ярымүткәргеч кыры, оксидлаштыру диффузиясе процессы, Һ.б.
Ярымүткәргеч процессында оксидлашуны киңәйтү процессы югары продукт чисталыгын таләп итә, һәм Семицерада без кремний карбид өлешләренең күпчелеге өчен махсус һәм CVD каплау хезмәтләрен тәкъдим итәбез.
Түбәндәге рәсемдә Семицаның тупас эшкәртелгән кремний карбид плитасы һәм 100 эчендә чистартылган кремний карбид мич трубасы күрсәтелә.0дәрәҗәтузансызбүлмә. Безнең эшчеләр каплау алдыннан эшлиләр. Кремний карбидының чисталыгы 99,99% ка җитә ала, һәм каплауның чисталыгы 99,99995% тан зуррак.
Чимал кремний карбид падле һәм чистартуда SiC процесс трубасы
Кремний Карбид Вафер көймәсе CVD SiC капланган
