CVD Кремний Карбид (SiC) Семицера тәкъдим иткән боҗралар ярымүткәргеч эшкәртүдә төп компонентлар, ярымүткәргеч җайланмалар җитештерүдә мөһим этап. Бу CVD Кремний Карбид (SiC) боҗраларының составы каты процессның катлаулы шартларына каршы тора алырлык һәм ныклы структураны тәэмин итә. Химик пар парламенты югары чисталык, бертөрле һәм тыгыз SiC катламын формалаштырырга ярдәм итә, боҗраларга искиткеч механик көч, җылылык тотрыклылыгы һәм коррозиягә каршы тору бирә.
Ярымүткәргеч җитештерүдә төп элемент буларак, CVD Кремний Карбид (SiC) боҗралары ярымүткәргеч чипларының бөтенлеген саклау өчен саклаучы киртә булып торалар. Аның төгәл дизайны бердәм һәм контрольдә тотылуны тәэмин итә, бу бик катлаулы ярымүткәргеч җайланмалар җитештерергә ярдәм итә, көчәйтелгән җитештерүчәнлекне һәм ышанычлылыкны тәэмин итә.
CVD SiC материалын боҗралар төзелешендә куллану ярымүткәргеч җитештерүдә сыйфатка һәм эшкә тугрылык күрсәтә. Бу материал уникаль үзенчәлекләргә ия, шул исәптән югары җылылык үткәрүчәнлеге, искиткеч химик инерция, һәм кием һәм коррозиягә каршы тору, CVD Кремний Карбид (SiC) ярымүткәргеч эшкәртү процессларында төгәллек һәм эффективлык эзләүдә алыштыргысыз компонент.
Semicera's CVD Кремний Карбид (SiC) боҗрасы ярымүткәргеч җитештерү өлкәсендә алдынгы чишелешне күрсәтә, химик парның кремний карбидының уникаль үзенчәлекләрен кулланып, ышанычлы һәм югары җитештерүчән эшкәртү процессларына ирешү, ярымүткәргеч технологиянең өзлексез алга китүенә ярдәм итү. Без ярымүткәргеч индустриясенең югары сыйфатлы һәм эффектив чишелешләргә булган ихтыяҗын канәгатьләндерү өчен, клиентларга искиткеч продуктлар һәм профессиональ техник ярдәм күрсәтергә әзер.
China Кытай базарында иң яхшы сыйфат
Ood Сезгә һәрвакыт яхшы хезмәт, 7 * 24 сәгать
- Тапшыруның кыска датасы
- Кечкенә MOQ рәхим итегез һәм кабул ителде
OstКостом хезмәтләре
Эпитакси үсешне сизүче
Кремний / кремний карбид ваферлары электрон җайланмаларда куллану өчен берничә процесс үтәргә тиеш. Мөһим процесс - кремний / сик эпитакси, анда кремний / сик ваферлар графит нигезендә алып барыла. Семицераның кремний карбид белән капланган графит базасының махсус өстенлекләренә чиктән тыш югары чисталык, бердәм каплау һәм бик озын хезмәт срокы керә. Аларда шулай ук югары химик каршылык һәм җылылык тотрыклылыгы бар.
LED чип җитештерү
MOCVD реакторының киң каплануы вакытында планета базасы яки ташучы субстрат ваферны хәрәкәт итә. Төп материалның эшләнеше каплау сыйфатына зур йогынты ясый, бу үз чиратында чипның сыну тизлегенә тәэсир итә. Семицераның кремний карбид белән капланган базасы югары сыйфатлы LED ваферларның җитештерү эффективлыгын арттыра һәм дулкын озынлыгының минимумын киметә. Без шулай ук хәзерге вакытта кулланыла торган барлык MOCVD реакторлары өчен өстәмә графит компонентлары белән тәэмин итәбез. Без кремний карбид каплавы белән теләсә нинди компонентны каплый алабыз, компонентның диаметры 1,5М га кадәр булса да, без кремний карбид белән каплый алабыз.
Ярымүткәргеч кыры, оксидлаштыру диффузиясе процессы, Һ.б.
Ярымүткәргеч процессында оксидлашуны киңәйтү процессы югары продукт чисталыгын таләп итә, һәм Семицерада без кремний карбид өлешләренең күпчелеге өчен махсус һәм CVD каплау хезмәтләрен тәкъдим итәбез.
Түбәндәге рәсемдә Семицаның тупас эшкәртелгән кремний карбид плитасы һәм 100 эчендә чистартылган кремний карбид мич трубасы күрсәтелә.0дәрәҗәтузансызбүлмә. Безнең эшчеләр каплау алдыннан эшлиләр. Кремний карбидының чисталыгы 99,99% ка җитә ала, һәм каплауның чисталыгы 99,99995% тан зуррак.
Чимал кремний карбид падле һәм чистартуда SiC процесс трубасы
Кремний Карбид Вафер көймәсе CVD SiC капланган
