Semicera's 4 Inch N тибындагы SiC субстратлары ярымүткәргеч индустриясенең төгәл стандартларына туры китереп эшләнгән. Бу субстратлар электрон кушымталарның киң спектры өчен югары җитештерүчәнлек нигезе бирә, гаҗәеп үткәрүчәнлек һәм җылылык үзлекләрен тәкъдим итә.
Бу SiC субстратларының N тибындагы допинг аларның электр үткәрүчәнлеген көчәйтә, аларны югары көчле һәм югары ешлыклы кушымталар өчен аеруча яраклы итә. Бу милек диодлар, транзисторлар, көчәйткечләр кебек җайланмаларның эффектив эшләвенә мөмкинлек бирә, монда энергия югалтуын киметү бик мөһим.
Semicera заманча җитештерү процессларын куллана, һәр субстратның өслек сыйфатын һәм бердәмлеген күрсәтүен тәэмин итү. Бу төгәллек электроника, микродулкынлы җайланмалар һәм экстремаль шартларда ышанычлы эш таләп итә торган башка технологияләр өчен бик мөһим.
Semicera-ның N тибындагы SiC субстратларын сезнең җитештерү линиясенә кертү, җылылыкның таралуы һәм электр тотрыклылыгы тәкъдим итүче материаллардан файда алу дигән сүз. Бу субстратлар ныклык һәм эффективлык таләп итә торган компонентлар булдыру өчен идеаль, мәсәлән, электр конверсия системалары һәм RF көчәйткечләре.
Semicera-ның 4 Inch N тибындагы SiC субстратларын сайлап, сез инновацион материаль фәнне җентекләп осталык белән берләштергән продуктка инвестиция саласыз. Semicera заманча ярымүткәргеч технологияләрен үстерүне тәэмин итүче, югары җитештерүчәнлекне һәм ышанычлылыкны тәэмин итүче чишелешләр тәкъдим итеп, тармакны әйдәп баруны дәвам итә.
| Предметлар | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| Бәллүр параметрлар | |||
| Политип | 4H | ||
| Faceир өстендә ориентация хата | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Электр параметрлары | |||
| Допант | азот | ||
| Каршылык | 0.015-0.025ohm · см | ||
| Механик параметрлар | |||
| Диаметр | 150,0 ± 0,2 мм | ||
| Калынлык | 350 ± 25 мм | ||
| Беренчел яссы юнәлеш | [1-100] ± 5 ° | ||
| Беренчел яссы озынлык | 47,5 ± 1,5 мм | ||
| Икенче фатир | Беркем дә юк | ||
| TTV | ≤5 мм | ≤10 мм | ≤15 мм |
| ЛТВ | ≤3 μm (5 мм * 5 мм) | ≤5 μm (5 мм * 5 мм) | ≤10 μm (5 мм * 5 мм) |
| Bowәя | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Сугыш | ≤35 мм | ≤45 μm | ≤55 мм |
| Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Структурасы | |||
| Микропип тыгызлыгы | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Металл пычраклары | ≤5E10атом / см2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / см2 | NA |
| TSD | 00500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Алгы сыйфат | |||
| Фронт | Si | ||
| Faceир өсте бетү | Si-face CMP | ||
| Кисәкчәләр | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Сызулар | ≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр | Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA |
| Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану | Беркем дә юк | NA | |
| Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр | Беркем дә юк | ||
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤20% | Кумулятив мәйдан ≤30% |
| Алгы лазер маркировкасы | Беркем дә юк | ||
| Арткы сыйфат | |||
| Артка тәмамлау | C-йөзле CMP | ||
| Сызулар | ≤5ea / мм, Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA | |
| Арткы җитешсезлекләр (кыр чиплары / индекс) | Беркем дә юк | ||
| Арткы тупаслык | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Арткы лазер маркировкасы | 1 мм (өске кырдан) | ||
| Кыр | |||
| Кыр | Чамфер | ||
| Пакетлау | |||
| Пакетлау | Эпи вакуум упаковка белән әзер Күп ваферлы кассета төрү | ||
| * Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин. | |||
