Семицерагорурлык белән таныштыра4 "Галлий оксиды субстратлары, югары җитештерүчән ярымүткәргеч җайланмаларның үсә барган таләпләрен канәгатьләндерү өчен эшләнгән нигез ташы. Галлий оксиды (Га2O3) субстратлар ультра киң киңлек тәкъдим итә, аларны киләсе буын электр электроникасы, UV оптоэлектроника һәм югары ешлыклы җайланмалар өчен идеаль итә.
Төп үзенчәлекләр:
• Ultra-Wide Bandgap:.4 "Галлий оксиды субстратларыякынча 4,8 eV тасма белән мактаныгыз, гадәттән тыш көчәнешкә һәм температурага чыдамлылык бирә, кремний кебек традицион ярымүткәргеч материаллардан күпкә өстен.
•Breakгары өзелү көчәнеше: Бу субстратлар җайланмаларга югары көчәнешләрдә һәм көчләрдә эшләргә мөмкинлек бирә, аларны электр электроникасында югары көчәнешле кушымталар өчен камил итә.
•Supгары җылылык тотрыклылыгы: Галлий Оксид субстратлары искиткеч җылылык үткәрүчәнлеген тәкъдим итә, экстремаль шартларда тотрыклы эшне тәэмин итә, таләпчән шартларда куллану өчен идеаль.
•Materialгары материал сыйфаты: Түбән җитешсезлек тыгызлыгы һәм кристаллның югары сыйфаты белән, бу субстратлар ышанычлы һәм эзлекле эшне тәэмин итә, җайланмаларның эффективлыгын һәм ныклыгын арттыра.
•Күпкырлы кушымта: Электр транзисторлары, Шоттки диодлары һәм UV-C LED җайланмалары кертеп, күп кушымталар өчен яраклы, энергиядә дә, оптоэлектрон өлкәләрдә дә яңалыклар булдырырга мөмкинлек бирә.
Ярымүткәргеч технологиянең киләчәген Семицера белән өйрәнегез4 "Галлий оксиды субстратлары. Безнең субстратлар иң заманча кушымталар өчен кирәкле, бүгенге заман җайланмалары өчен кирәкле ышанычлылык һәм эффективлык тәэмин итә. Ярымүткәргеч материалларда сыйфат һәм яңалык өчен Семисерага ышаныгыз.
| Предметлар | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| Бәллүр параметрлар | |||
| Политип | 4H | ||
| Faceир өстендә ориентация хата | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Электр параметрлары | |||
| Допант | азот | ||
| Каршылык | 0.015-0.025ohm · см | ||
| Механик параметрлар | |||
| Диаметр | 150,0 ± 0,2 мм | ||
| Калынлык | 350 ± 25 мм | ||
| Беренчел яссы юнәлеш | [1-100] ± 5 ° | ||
| Беренчел яссы озынлык | 47,5 ± 1,5 мм | ||
| Икенче фатир | Беркем дә юк | ||
| TTV | ≤5 мм | ≤10 мм | ≤15 мм |
| ЛТВ | ≤3 μm (5 мм * 5 мм) | ≤5 μm (5 мм * 5 мм) | ≤10 μm (5 мм * 5 мм) |
| Bowәя | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Сугыш | ≤35 мм | ≤45 μm | ≤55 мм |
| Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Структурасы | |||
| Микропип тыгызлыгы | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Металл пычраклары | ≤5E10атом / см2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / см2 | NA |
| TSD | 00500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Алгы сыйфат | |||
| Фронт | Si | ||
| Faceир өсте бетү | Si-face CMP | ||
| Кисәкчәләр | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Сызулар | ≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр | Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA |
| Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану | Беркем дә юк | NA | |
| Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр | Беркем дә юк | ||
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤20% | Кумулятив мәйдан ≤30% |
| Алгы лазер маркировкасы | Беркем дә юк | ||
| Арткы сыйфат | |||
| Артка тәмамлау | C-йөзле CMP | ||
| Сызулар | ≤5ea / мм, Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA | |
| Арткы җитешсезлекләр (кыр чиплары / индекс) | Беркем дә юк | ||
| Арткы тупаслык | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Арткы лазер маркировкасы | 1 мм (өске кырдан) | ||
| Кыр | |||
| Кыр | Чамфер | ||
| Пакетлау | |||
| Пакетлау | Эпи вакуум упаковка белән әзер Күп ваферлы кассета төрү | ||
| * Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин. | |||
