Семицератәкъдим итәргә бик шат2 "Галлий оксиды субстратлары, алдынгы ярымүткәргеч җайланмаларның эшләвен көчәйтү өчен эшләнгән заманча материал. Галлий оксидыннан ясалган бу субстратлар (Га2O3), ультра киң киңлеккә ия, аларны югары көчле, югары ешлыклы һәм UV оптоэлектрон кушымталары өчен идеаль сайлау ясый.
Төп үзенчәлекләр:
• Ultra-Wide Bandgap:.2 "Галлий оксиды субстратларыякынча 4,8 eV зур тасма белән тәэмин итегез, югары көчәнеш һәм температура эшләргә мөмкинлек бирә, кремний кебек традицион ярымүткәргеч материалларның мөмкинлекләреннән күпкә артыграк.
•Аеруча өзелү көчәнеше: Бу субстратлар җайланмаларга зуррак көчәнешләрне эшкәртергә мөмкинлек бирә, аларны электроника өчен аеруча югары көчәнешле кушымталарда камил итә.
•Искиткеч җылылык үткәрүчәнлеге: Termгары җылылык тотрыклылыгы белән, бу субстратлар хәтта экстремаль җылылык шартларында да эзлекле эшне саклыйлар, югары көчле һәм югары температуралы куллану өчен идеаль.
•Qualityгары сыйфатлы материал:.2 "Галлий оксиды субстратларыярымүткәргеч җайланмаларның ышанычлы һәм эффектив эшләвен тәэмин итеп, түбән җитешсезлек тыгызлыгын һәм кристалл сыйфатын тәкъдим итегез.
•Күпкырлы кушымталар: Бу субстратлар төрле кушымталар өчен яраклы, шул исәптән электр транзисторлары, Шоттки диодлары, һәм UV-C LED җайланмалары, көч һәм оптоэлектрон инновацияләр өчен ныклы нигез тәкъдим итә.
Ярымүткәргеч җайланмаларның тулы потенциалын Semicera's белән ачыгыз2 "Галлий оксиды субстратлары. Безнең субстратлар бүгенге алдынгы кушымталарның таләпләрен канәгатьләндерү өчен эшләнгән, югары җитештерүчәнлекне, ышанычлылыкны һәм эффективлыкны тәэмин итә. Инновациягә этәрүче заманча ярымүткәргеч материаллар өчен Семицераны сайлагыз.
| Предметлар | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| Бәллүр параметрлар | |||
| Политип | 4H | ||
| Faceир өстендә ориентация хата | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Электр параметрлары | |||
| Допант | азот | ||
| Каршылык | 0.015-0.025ohm · см | ||
| Механик параметрлар | |||
| Диаметр | 150,0 ± 0,2 мм | ||
| Калынлык | 350 ± 25 мм | ||
| Беренчел яссы юнәлеш | [1-100] ± 5 ° | ||
| Беренчел яссы озынлык | 47,5 ± 1,5 мм | ||
| Икенче фатир | Беркем дә юк | ||
| TTV | ≤5 мм | ≤10 мм | ≤15 мм |
| ЛТВ | ≤3 μm (5 мм * 5 мм) | ≤5 μm (5 мм * 5 мм) | ≤10 μm (5 мм * 5 мм) |
| Bowәя | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Сугыш | ≤35 мм | ≤45 μm | ≤55 мм |
| Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Структурасы | |||
| Микропип тыгызлыгы | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Металл пычраклары | ≤5E10атом / см2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / см2 | NA |
| TSD | 00500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Алгы сыйфат | |||
| Фронт | Si | ||
| Faceир өсте бетү | Si-face CMP | ||
| Кисәкчәләр | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Сызулар | ≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр | Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA |
| Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану | Беркем дә юк | NA | |
| Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр | Беркем дә юк | ||
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤20% | Кумулятив мәйдан ≤30% |
| Алгы лазер маркировкасы | Беркем дә юк | ||
| Арткы сыйфат | |||
| Артка тәмамлау | C-йөзле CMP | ||
| Сызулар | ≤5ea / мм, Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA | |
| Арткы җитешсезлекләр (кыр чиплары / индекс) | Беркем дә юк | ||
| Арткы тупаслык | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Арткы лазер маркировкасы | 1 мм (өске кырдан) | ||
| Кыр | |||
| Кыр | Чамфер | ||
| Пакетлау | |||
| Пакетлау | Эпи вакуум упаковка белән әзер Күп ваферлы кассета төрү | ||
| * Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин. | |||
