Китай Вафер җитештерүчеләре, тәэмин итүчеләр, завод
Ярымүткәргеч вафер нәрсә ул?
Ярымүткәргеч вафер - ярымүткәргеч материалның нечкә, түгәрәк кисәге, ул интеграль схемалар (IC) һәм башка электрон җайланмалар ясау өчен нигез булып хезмәт итә. Вафер төрле электрон компонентлар төзелгән яссы һәм бердәм өслекне тәэмин итә.
Вафер җитештерү процессы берничә этапны үз эченә ала, шул исәптән кирәкле ярымүткәргеч материалның зур бер кристаллын үстерү, кристаллны бриллиант пыяла ярдәмендә нечкә ваферларга кисү, аннары ваферларны чистарту һәм чистарту. Нәтиҗә ясалган ваферлар бик яссы һәм шома өслеккә ия, бу алдагы ясалыш процесслары өчен бик мөһим.
Ваферлар әзерләнгәннән соң, алар электрон компонентлар төзү өчен кирәк булган катлаулы үрнәкләрне һәм катламнарны булдыру өчен, фотолитография, эфир, чүпләү һәм допинг кебек ярымүткәргеч җитештерү процессларын узалар. Бу процесслар берничә интеграль схема яки бүтән җайланмалар булдыру өчен бер ваферда берничә тапкыр кабатлана.
Ясалма процесс тәмамлангач, индивидуаль чиплар ваферны алдан билгеләнгән сызыклар буенча бәяләп аерыла. Аннары аерылган чиплар аларны саклау һәм электрон җайланмаларга интеграцияләү өчен электр элемтәләрен тәэмин итү өчен пакетланган.
Ваферда төрле материаллар
Ярымүткәргеч ваферлар беренче чиратта бер кристалл кремнийдан ясалган, аның күплеге, искиткеч электр характеристикалары, һәм стандарт ярымүткәргеч җитештерү процессларына туры килүе аркасында. Ләкин, махсус кушымталарга һәм таләпләргә карап, башка материаллар вафер ясау өчен дә кулланылырга мөмкин. Менә берничә мисал:
Кремний карбид (SiC) - киң үткәргеч ярымүткәргеч материал, ул традицион материаллар белән чагыштырганда өстен физик үзлекләр тәкъдим итә. Бу дискрет җайланмаларның, модульләрнең, хәтта бөтен системаларның күләмен һәм авырлыгын киметергә ярдәм итә, шул ук вакытта эффективлыкны күтәрә.
SiC-ның төп характеристикалары:
- - киң бандгап:SiC полосасы кремнийныкыннан өч тапкыр күбрәк, бу 400 ° C кадәр югары температурада эшләргә мөмкинлек бирә.
- -Бу критик өзелү кыры:SiC кремнийның электр кырыннан ун тапкыр кадәр тора ала, аны югары көчәнешле җайланмалар өчен идеаль итә.
- Highгары җылылык үткәрүчәнлеге:SiC җылылыкны эффектив тарата, җайланмаларга оптималь эш температурасын сакларга булыша һәм гомер озынлыгын озайта.
- - Electгары туендыру электрон дрифт тизлеге:Кремнийның тизлек тизлеген икеләтә арттыру белән, SiC җайланма миниатюризациясенә булышып, югары күчү ешлыкларын тәэмин итә.
Кушымталар:
-
Электр энергиясе:SiC электр җайланмалары югары көчәнешле, югары токлы, югары температуралы һәм югары ешлыклы мохиттә өстенлек бирә, энергияне әйләндерүнең эффективлыгын сизелерлек күтәрә. Алар электр машиналарында, зарядлау станцияләрендә, фотоволтаик системаларда, тимер юл транспорты һәм акыллы челтәрләрдә киң кулланыла.
-
-Микродулкынлы элемтә:SiC нигезендәге GaN RF җайланмалары чыбыксыз элемтә инфраструктурасы өчен аеруча 5G база станцияләре өчен бик мөһим. Бу җайланмалар SiC-ның искиткеч җылылык үткәрүчәнлеген GaN-ның югары ешлыклы, югары көчле RF чыгаруы белән берләштерәләр, һәм киләсе буын югары ешлыклы телекоммуникацион челтәрләр өчен өстенлекле сайлау ясыйлар.
Галий нитриды (GaN)өченче буын киң полосалы ярымүткәргеч материал, зур тасма, югары җылылык үткәрүчәнлеге, югары электрон туендыру тизлеге тизлеге, һәм өзелү кыры үзенчәлекләре. GaN җайланмаларының югары ешлыклы, югары тизлектәге һәм югары энергия өлкәләрендә киң куллану перспективалары бар, мәсәлән, LED энергия саклаучы яктырту, лазер проекция дисплейлары, электр машиналары, акыллы челтәрләр, 5G элемтә.
Галлий арсенид (GaAs)ярымүткәргеч материал, ул югары ешлык, югары электрон хәрәкәтчәнлеге, югары көч чыгару, түбән тавыш, яхшы сызык белән танылган. Ул оптоэлектроника һәм микроэлектроника өлкәсендә киң кулланыла. Оптоэлектроникада GaAs субстратлары LED (яктылык җибәрүче диодлар), LD (лазер диодлары) һәм фотоволтаик җайланмалар җитештерү өчен кулланыла. Микроэлектроникада алар MESFETлар (металл ярымүткәргеч кыр-эффект транзисторлары), HEMTлар (югары электрон хәрәкәт транзисторлары), HBTлар (гетерожункция биполяр транзисторлары), IC (интеграль схемалар), микродулкынлы диодлар, зал эффект җайланмалары җитештерүдә кулланыла.
Индий фосфид (InP)III-V кушылма ярымүткәргечләрнең берсе, ул югары электрон хәрәкәтчәнлеге, искиткеч нурланышка чыдамлыгы, киң киңлеге белән танылган. Ул оптоэлектроника һәм микроэлектроника өлкәсендә киң кулланыла.
