СемицераВафер кассетаярымүткәргеч җитештерү процессында критик компонент, нечкә ярымүткәргеч ваферларны куркынычсыз тоту һәм ташу өчен эшләнгән. .Әр сүзнеңВафер кассетаэшкәртү, саклау һәм ташу вакытында һәр вафин пычраткыч матдәләрдән һәм физик зыяннан саклануны тәэмин итә.
Semгары чисталык, химик чыдам материаллар белән төзелгән, СемицераВафер кассетаҗитештерүнең һәр этабында ваферларның бөтенлеген саклау өчен кирәк булган иң югары чисталык һәм ныклык гарантияли. Бу кассеталарның төгәл инженериясе пычрату һәм механик зыянны киметеп, автоматлаштырылган эшкәртү системалары белән өзлексез интеграцияләнергә мөмкинлек бирә.
ДизайнВафер кассеташулай ук оптималь һава агымын һәм температураны контрольдә тотуны хуплый, бу конкрет экологик шартлар таләп итә торган процесслар өчен бик мөһим. Чистарту бүлмәләрендә яки җылылык эшкәртү вакытында кулланыламы, СемицераВафер кассетаярымүткәргеч сәнәгатенең катгый таләпләрен канәгатьләндерү өчен эшләнгән, җитештерү эффективлыгын һәм продукт сыйфатын күтәрү өчен ышанычлы һәм эзлекле эш тәэмин итә.
| Предметлар | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| Бәллүр параметрлар | |||
| Политип | 4H | ||
| Faceир өстендә ориентация хата | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Электр параметрлары | |||
| Допант | азот | ||
| Каршылык | 0.015-0.025ohm · см | ||
| Механик параметрлар | |||
| Диаметр | 150,0 ± 0,2 мм | ||
| Калынлык | 350 ± 25 мм | ||
| Беренчел яссы юнәлеш | [1-100] ± 5 ° | ||
| Беренчел яссы озынлык | 47,5 ± 1,5 мм | ||
| Икенче фатир | Беркем дә юк | ||
| TTV | ≤5 мм | ≤10 мм | ≤15 мм |
| ЛТВ | ≤3 μm (5 мм * 5 мм) | ≤5 μm (5 мм * 5 мм) | ≤10 μm (5 мм * 5 мм) |
| Bowәя | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Сугыш | ≤35 мм | ≤45 μm | ≤55 мм |
| Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Структурасы | |||
| Микропип тыгызлыгы | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Металл пычраклары | ≤5E10атом / см2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / см2 | NA |
| TSD | 00500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Алгы сыйфат | |||
| Фронт | Si | ||
| Faceир өсте бетү | Si-face CMP | ||
| Кисәкчәләр | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Сызулар | ≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр | Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA |
| Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану | Беркем дә юк | NA | |
| Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр | Беркем дә юк | ||
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤20% | Кумулятив мәйдан ≤30% |
| Алгы лазер маркировкасы | Беркем дә юк | ||
| Арткы сыйфат | |||
| Артка тәмамлау | C-йөзле CMP | ||
| Сызулар | ≤5ea / мм, Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA | |
| Арткы җитешсезлекләр (кыр чиплары / индекс) | Беркем дә юк | ||
| Арткы тупаслык | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Арткы лазер маркировкасы | 1 мм (өске кырдан) | ||
| Кыр | |||
| Кыр | Чамфер | ||
| Пакетлау | |||
| Пакетлау | Эпи вакуум упаковка белән әзер Күп ваферлы кассета төрү | ||
| * Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин. | |||
