Семицера белән таныштыраВафер кассета ташучы, ярымүткәргеч вафларны куркынычсыз һәм эффектив эшкәртү өчен критик чишелеш. Бу ташучы ярымүткәргеч индустриясенең катгый таләпләрен канәгатьләндерү өчен эшләнгән, җитештерү процессында ваферларыгызның саклануын һәм бөтенлеген тәэмин итә.
Төп үзенчәлекләр:
•Нык төзелеш:.Әр сүзнеңВафер кассета ташучыярымүткәргеч мохит катгыйлыгына каршы торучы, пычранудан һәм физик зыяннан ышанычлы саклауны тәэмин итүче югары сыйфатлы, чыдам материаллардан төзелгән.
•Төгәл тигезләү:Ваферны төгәл тигезләү өчен эшләнгән, бу ташучы ваферларның куркынычсыз урында торуын тәэмин итә, транспорт вакытында тәртип бозу яки зыян китерү куркынычын киметә.
•Easyиңел эшкәртү:Эргономик куллану җиңеллеге өчен эшләнгән, ташучы йөкләү һәм чыгару процессын гадиләштерә, чиста бүлмәләрдә эш процессының эффективлыгын күтәрә.
•Сөйләшү:Төрле ярымүткәргеч җитештерү ихтыяҗлары өчен күпкырлы итеп, вафер зурлыклары һәм төрләре белән туры килә.
Семицера белән чагыштыргысыз саклау һәм уңайлык тәҗрибәсеВафер кассета ташучы. Безнең оператор ярымүткәргеч җитештерүнең иң югары стандартларына туры китереп эшләнгән, ваферларыгыз баштан ахырына кадәр чиста булып кала. Сезнең критик процесслар өчен кирәкле сыйфатны һәм ышанычлылыкны җиткерү өчен Semiceraга ышаныгыз.
| Предметлар | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| Бәллүр параметрлар | |||
| Политип | 4H | ||
| Faceир өстендә ориентация хата | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Электр параметрлары | |||
| Допант | азот | ||
| Каршылык | 0.015-0.025ohm · см | ||
| Механик параметрлар | |||
| Диаметр | 150,0 ± 0,2 мм | ||
| Калынлык | 350 ± 25 мм | ||
| Беренчел яссы юнәлеш | [1-100] ± 5 ° | ||
| Беренчел яссы озынлык | 47,5 ± 1,5 мм | ||
| Икенче фатир | Беркем дә юк | ||
| TTV | ≤5 мм | ≤10 мм | ≤15 мм |
| ЛТВ | ≤3 μm (5 мм * 5 мм) | ≤5 μm (5 мм * 5 мм) | ≤10 μm (5 мм * 5 мм) |
| Bowәя | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Сугыш | ≤35 мм | ≤45 μm | ≤55 мм |
| Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Структурасы | |||
| Микропип тыгызлыгы | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Металл пычраклары | ≤5E10атом / см2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / см2 | NA |
| TSD | 00500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Алгы сыйфат | |||
| Фронт | Si | ||
| Faceир өсте бетү | Si-face CMP | ||
| Кисәкчәләр | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Сызулар | ≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр | Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA |
| Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану | Беркем дә юк | NA | |
| Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр | Беркем дә юк | ||
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤20% | Кумулятив мәйдан ≤30% |
| Алгы лазер маркировкасы | Беркем дә юк | ||
| Арткы сыйфат | |||
| Артка тәмамлау | C-йөзле CMP | ||
| Сызулар | ≤5ea / мм, Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA | |
| Арткы җитешсезлекләр (кыр чиплары / индекс) | Беркем дә юк | ||
| Арткы тупаслык | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Арткы лазер маркировкасы | 1 мм (өске кырдан) | ||
| Кыр | |||
| Кыр | Чамфер | ||
| Пакетлау | |||
| Пакетлау | Эпи вакуум упаковка белән әзер Күп ваферлы кассета төрү | ||
| * Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин. | |||
