Semicera төрле компонентлар һәм йөртүчеләр өчен махсус тантал карбид (TaC) каплаулары белән тәэмин итә.Semicera әйдәп баручы каплау процессы тантал карбид (TaC) каплауларына югары чисталыкка, югары температураның тотрыклылыгына һәм югары химик толерантлыкка ирешергә мөмкинлек бирә, SIC / GAN кристаллларының һәм EPI катламнарының продукт сыйфатын яхшырта (Графит белән капланган TaC сусепторы), һәм төп реактор компонентларының гомерен озайту. Танталь карбид TaC каплавын куллану - чит проблеманы чишү һәм кристалл үсешенең сыйфатын яхшырту, һәм Семицера танталь карбид каплау технологиясен (CVD) чиште, халыкара дәрәҗәгә иреште.
Кремний карбид (SiC) өченче буын ярымүткәргечләрдә төп материал, ләкин аның уңыш күләме сәнәгать үсешен чикләүче фактор булды. Семицера лабораторияләрендә киң сынау үткәннән соң, сиптерелгән һәм синтерланган TaC кирәкле чисталык һәм бертөрлелек юклыгы ачыкланды. Киресенчә, CVD процессы 5 PPM чисталык дәрәҗәсен һәм искиткеч бердәмлекне тәэмин итә. CVD TaC куллану кремний карбид ваферларының уңыш дәрәҗәсен сизелерлек яхшырта. Без дискуссияләрне хуплыйбызТантал Карбид CVD каплау өчен боҗра SiC вафиннары чыгымнарын тагын да киметергә.
Озак еллар үсештән соң, Семицера технологиясен яулап алдыCVD TaCфәнни-тикшеренү бүлегенең уртак тырышлыгы белән. SiC ваферларының үсеш процессында җитешсезлекләр җиңел, ләкин кулланганнан соңTaC, аерма зур. Түбәндә вафиннарны TaC белән һәм аннан башка чагыштыру, шулай ук Симицераның бер кристалл үсеше өчен өлешләре.
белән һәм аннан башка
TaC кулланганнан соң (уңда)
Моннан тыш, СемицераTaC белән капланган продуктларчагыштырганда озынрак хезмәт срокы һәм зуррак температурага каршы торуSiC каплаулары.Лаборатория үлчәүләре безнең моны күрсәттеTaC каплауларыОзак вакыт дәвамында 2300 градуска кадәр температурада эзлекле эшли ала. Түбәндә безнең үрнәкләрнең кайбер мисаллары китерелгән:
