Semicera төрле компонентлар һәм йөртүчеләр өчен махсус тантал карбид (TaC) каплаулары белән тәэмин итә.Semicera әйдәп баручы каплау процессы тантал карбид (TaC) каплауларына югары чисталыкка, югары температураның тотрыклылыгына һәм югары химик толерантлыкка ирешергә мөмкинлек бирә, SIC / GAN кристаллларының һәм EPI катламнарының продукт сыйфатын яхшырта (Графит белән капланган TaC сусепторы), һәм төп реактор компонентларының гомерен озайту. Танталь карбид TaC каплавын куллану - чит проблеманы чишү һәм кристалл үсешенең сыйфатын яхшырту, һәм Семицера танталь карбид каплау технологиясен (CVD) чиште, халыкара дәрәҗәгә иреште.
Тантал карбид белән капланган вафер йөртүчеләр ярымүткәргеч җитештерү процессларында вафер эшкәртүдә һәм эшкәртү процессларында киң кулланыла. Алар җитештерү процессында ваферларның куркынычсызлыгын, төгәллеген һәм эзлеклелеген тәэмин итү өчен тотрыклы ярдәм һәм саклауны тәэмин итәләр. Тантал карбид каплаулары ташучының хезмәт срогын озайтырга, чыгымнарны киметергә, ярымүткәргеч продуктларның сыйфатын һәм ышанычлылыгын яхшыртырга мөмкин.
Тантал карбид белән капланган вафер йөртүченең тасвирламасы түбәндәгечә:
1.
2. faceир өсте каплавы: Танталь карбид каплавы бердәм һәм тыгыз тантал карбид каплау формалаштыру өчен махсус каплау процессы аша вафер ташучы өслегенә кулланыла. Бу каплау өстәмә саклауны тәэмин итә һәм яхшы җылылык үткәрүчәнлегенә ия.
3. Тигезлек һәм төгәллек: Тантал карбид белән капланган вафер ташучы югары яссылык һәм төгәллеккә ия, җитештерү процессында ваферларның тотрыклылыгын һәм төгәллеген тәэмин итә. Ваферның сыйфатын һәм эшләвен тәэмин итү өчен, ташучы өслегенең яссылыгы һәм бетүе бик мөһим.
4.
5.
белән һәм аннан башка
TaC кулланганнан соң (уңда)
Моннан тыш, СемицераTaC белән капланган продуктларчагыштырганда озынрак хезмәт срокы һәм зуррак температурага каршы торуSiC каплаулары.Лаборатория үлчәүләре безнең моны күрсәттеTaC каплауларыОзак вакыт дәвамында 2300 градуска кадәр температурада эзлекле эшли ала. Түбәндә безнең үрнәкләрнең кайбер мисаллары китерелгән:
