TaC капланган эпи вафер ташучы

Кыска тасвирлау:

Семицераның TaC капланган Epi Wafer Carrier эпитаксиаль процессларда өстен эш итү өчен эшләнгән. Аның танталь карбид каплавы гаҗәеп ныклык һәм югары температураның тотрыклылыгын тәкъдим итә, оптималь вафат ярдәмен һәм җитештерү эффективлыгын арттыра. Semicera төгәл җитештерү ярымүткәргеч кушымталарда эзлекле сыйфат һәм ышанычлылык гарантияли.


Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

TaC капланган эпитаксиаль вафер йөртүчеләргадәттә югары җитештерүчән оптоэлектрон җайланмалар, электр җайланмалары, сенсорлар һәм башка өлкәләр әзерләгәндә кулланыла. Буэпитаксиаль вафер ташучычүпләнүне аңлатаTaCКристалл үсеш процессында субстраттагы нечкә пленка, аннан соң җайланма әзерләү өчен махсус структурасы һәм эшләнеше белән вафер формалаштыру.

Химик пар парламенты (CVD) технологиясе гадәттә әзерләнү өчен кулланылаTaC капланган эпитаксиаль вафер йөртүчеләр. Металл органик прекурсорларны һәм углерод чыганак газларын югары температурада реакцияләп, кристалл субстрат өслегендә TaC пленкасы урнаштырылырга мөмкин. Бу фильм искиткеч электр, оптик һәм механик үзенчәлекләргә ия булырга мөмкин һәм төрле югары җитештерүчән җайланмалар әзерләү өчен яраклы.

 

Semicera төрле компонентлар һәм йөртүчеләр өчен махсус тантал карбид (TaC) каплаулары белән тәэмин итә.Semicera әйдәп баручы каплау процессы тантал карбид (TaC) каплауларына югары чисталыкка, югары температураның тотрыклылыгына һәм югары химик толерантлыкка ирешергә мөмкинлек бирә, SIC / GAN кристаллларының һәм EPI катламнарының продукт сыйфатын яхшырта (Графит белән капланган TaC сусепторы), һәм төп реактор компонентларының гомерен озайту. Танталь карбид TaC каплавын куллану - чит проблеманы чишү һәм кристалл үсешенең сыйфатын яхшырту, һәм Семицера танталь карбид каплау технологиясен (CVD) чиште, халыкара дәрәҗәгә иреште.

 

Озак еллар үсештән соң, Семицера технологиясен яулап алдыCVD TaCфәнни-тикшеренү бүлегенең уртак тырышлыгы белән. SiC ваферларының үсеш процессында җитешсезлекләр җиңел, ләкин кулланганнан соңTaC, аерма зур. Түбәндә вафиннарны TaC белән һәм аннан башка чагыштыру, шулай ук ​​Симицераның бер кристалл үсеше өчен өлешләре.

微 信 图片 _20240227150045

белән һәм аннан башка

微 信 图片 _20240227150053

TaC кулланганнан соң (уңда)

Моннан тыш, СемицераTaC белән капланган продуктларчагыштырганда озынрак хезмәт срокы һәм зуррак температурага каршы торуSiC каплаулары.Лаборатория үлчәүләре безнең моны күрсәттеTaC каплауларыОзак вакыт дәвамында 2300 градуска кадәр температурада эзлекле эшли ала. Түбәндә безнең үрнәкләрнең кайбер мисаллары китерелгән:

 
0 (1)
Семицера Эш урыны
Семицера эш урыны 2
Equipmentиһазлау машинасы
Семицера склад йорты
CNN эшкәртү, химик чистарту, CVD каплау
Безнең хезмәт

  • Алдагы:
  • Киләсе: