Semicera's SOI Wafer (Кремний Он Инсулятор) өстен электр изоляциясе һәм җылылык җитештерүчәнлеге өчен эшләнгән. Бу инновацион вафер структурасы, изоляцион катламда кремний катламы булган, җайланманың эшләвен көчәйтә һәм энергия куллануны киметә, аны югары технологияле кушымталар өчен идеаль итә.
Безнең SOI ваферлары паразитик сыйдырышлыкны киметеп, җайланма тизлеген һәм эффективлыгын күтәреп интеграль схемалар өчен искиткеч өстенлекләр тәкъдим итәләр. Бу заманча электроника өчен бик мөһим, монда кулланучылар өчен дә, сәнәгать кушымталары өчен дә югары җитештерүчәнлек һәм энергия нәтиҗәлелеге кирәк.
Semicera эзлекле сыйфатлы һәм ышанычлы SOI ваферларын җитештерү өчен алдынгы җитештерү техникасын куллана. Бу ваферлар искиткеч җылылык изоляциясен тәэмин итәләр, аларны җылылык тарату борчылган мохиттә куллану өчен яраклы итәләр, мәсәлән, югары тыгызлыктагы электрон җайланмаларда һәм энергия белән идарә итү системаларында.
Ярымүткәргеч җитештерүдә SOI вафиннарын куллану кечерәк, тизрәк һәм ышанычлырак чиплар үстерергә мөмкинлек бирә. Semicera-ның төгәл инженериягә тугры булуы безнең SOI ваферларыбыз телекоммуникация, автомобиль һәм кулланучылар электроникасы кебек өлкәләрдә заманча технологияләр өчен кирәк булган югары стандартларга туры килүен тәэмин итә.
Semicera's SOI Wafer-ны сайлау - электрон һәм микроэлектрон технологияләр үсешенә ярдәм итүче продуктка инвестиция кертү дигән сүз. Безнең ваферлар югары җитештерүчәнлек һәм ныклык тәэмин итү өчен эшләнгән, сезнең югары технологияле проектларыгызның уңышына ярдәм итә һәм инновацияләр алгы сафында калуыгызны тәэмин итә.
| Предметлар | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| Бәллүр параметрлар | |||
| Политип | 4H | ||
| Faceир өстендә ориентация хата | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Электр параметрлары | |||
| Допант | азот | ||
| Каршылык | 0.015-0.025ohm · см | ||
| Механик параметрлар | |||
| Диаметр | 150,0 ± 0,2 мм | ||
| Калынлык | 350 ± 25 мм | ||
| Беренчел яссы юнәлеш | [1-100] ± 5 ° | ||
| Беренчел яссы озынлык | 47,5 ± 1,5 мм | ||
| Икенче фатир | Беркем дә юк | ||
| TTV | ≤5 мм | ≤10 мм | ≤15 мм |
| ЛТВ | ≤3 μm (5 мм * 5 мм) | ≤5 μm (5 мм * 5 мм) | ≤10 μm (5 мм * 5 мм) |
| Bowәя | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Сугыш | ≤35 мм | ≤45 μm | ≤55 мм |
| Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Структурасы | |||
| Микропип тыгызлыгы | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Металл пычраклары | ≤5E10атом / см2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / см2 | NA |
| TSD | 00500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Алгы сыйфат | |||
| Фронт | Si | ||
| Faceир өсте бетү | Si-face CMP | ||
| Кисәкчәләр | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Сызулар | ≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр | Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA |
| Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану | Беркем дә юк | NA | |
| Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр | Беркем дә юк | ||
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤20% | Кумулятив мәйдан ≤30% |
| Алгы лазер маркировкасы | Беркем дә юк | ||
| Арткы сыйфат | |||
| Артка тәмамлау | C-йөзле CMP | ||
| Сызулар | ≤5ea / мм, Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA | |
| Арткы җитешсезлекләр (кыр чиплары / индекс) | Беркем дә юк | ||
| Арткы тупаслык | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Арткы лазер маркировкасы | 1 мм (өске кырдан) | ||
| Кыр | |||
| Кыр | Чамфер | ||
| Пакетлау | |||
| Пакетлау | Эпи вакуум упаковка белән әзер Күп ваферлы кассета төрү | ||
| * Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин. | |||
