Тантал карбид (TaC)югары эретү ноктасы, югары каты, яхшы химик тотрыклылык, көчле электр һәм җылылык үткәрүчәнлеге һ.б. өстенлекләре булган супер югары температурага чыдам керамик материал.TaC каплауабляциягә чыдам каплау, оксидлашуга чыдам каплау, һәм киемгә чыдам каплау рәвешендә кулланылырга мөмкин, һәм аэрокосмик җылылык саклау, өченче буын ярымүткәргеч бер кристалл үсеше, энергия электроникасы һәм башка өлкәләрдә киң кулланыла.
Процесс:
Тантал карбид (TaC)югары эретү ноктасы, югары каты, яхшы химик тотрыклылык, көчле электр һәм җылылык үткәрүчәнлеге өстенлекләре булган ультра югары температурага чыдам керамик материал. Шуңа күрәTaC каплауабляциягә чыдам каплау, оксидлашуга чыдам каплау, һәм киемгә чыдам каплау рәвешендә кулланылырга мөмкин, һәм аэрокосмик җылылык саклау, өченче буын ярымүткәргеч бер кристалл үсеше, энергия электроникасы һәм башка өлкәләрдә киң кулланыла.
Катламнарның эчке характеристикасы:
Без әзерләнү өчен шома-синтеринг ысулын кулланабызTaC каплауларытөрле зурлыктагы графит субстратларында төрле калынлыктагы. Беренчедән, Ta чыганагы һәм C чыганагы булган югары чисталыклы порошок дисперсант һәм бәйләүче белән конфигурацияләнгән, бердәм һәм тотрыклы прекурсор плитасы. Шул ук вакытта, графит өлешләренең зурлыгына һәм калынлык таләпләренә карапTaC каплау, алдан каплау сиптерү, кую, инфилтрация һәм башка формалар белән әзерләнә. Ниһаять, бердәм, тыгыз, бер фазалы һәм яхшы кристалл әзерләү өчен вакуум мохитендә 2200 above өстендә җылытыла.TaC каплау.
Катламнарның эчке характеристикасы:
КалынлыгыTaC каплауякынча 10-50 мм, бөртекләр ирекле юнәлештә үсә, һәм ул башка пычракларсыз, бер фазалы йөз үзәк куб структурасы булган TaC -тан тора; каплау тыгыз, структурасы тулы, кристалллыгы югары.TaC каплауграфит өслегендәге тишекләрне тутыра ала, һәм ул химик яктан графит матрицасына югары бәйләнеш көче белән бәйләнгән. Каплауда Ta белән C нисбәте 1: 1 гә якын. GDMS чисталыгын ачыклау белешмә стандарты ASTM F1593, пычраклык концентрациясе 121ppm-тан ким. Арифметик уртача тайпылыш (Ra) каплау профиленең 662нм.
Гомуми кушымталар:
GaN һәмSiC эпитаксиальCVD реактор компонентлары, шул исәптән вафер йөртүчеләр, спутник савыт-сабалары, душ башлары, өске каплагычлар һәм сусепторлар.
SiC, GaN һәм AlN кристалл үсеш компонентлары, шул исәптән крестибльләр, орлык кристалллары, агым күрсәтмәләре һәм фильтрлар.
Сәнәгать компонентлары, шул исәптән резистив җылыту элементлары, сузыклар, калкан боҗралар һәм усал җайланмалар.
Төп үзенчәлекләр:
00гары температураның тотрыклылыгы 2600 at
Н каты химик мохиттә тотрыклы хәлне тәэмин итә2, NH3, SiH4һәм Si парлары
Кыска җитештерү цикллары белән массакүләм җитештерү өчен яраклы.
