Semicera's SiN керамика тигез субстратлары төрле электрон һәм сәнәгать кушымталары өчен югары җитештерүчән чишелеш тәкъдим итә. Яхшы җылылык үткәрүчәнлеге һәм механик көче белән билгеле булган бу субстратлар таләпчән мохиттә ышанычлы эшләүне тәэмин итә.
Безнең SiN (Кремний Нитрид) керамикасы экстремаль температураны һәм югары стресс шартларын эшкәртү өчен эшләнгән, аларны югары көчле электроника һәм алдынгы ярымүткәргеч җайланмалар өчен яраклы итә. Аларның ныклыгы һәм җылылык шокына каршы торуы аларны ышанычлылык һәм эш башкару критик булган кушымталарда куллану өчен идеаль итә.
Семицераның төгәл җитештерү процессы һәр гади субстратның катгый сыйфат стандартларына туры килүен тәэмин итә. Бу эзлеклелектә калынлык һәм өслек сыйфаты булган субстратларга китерә, алар электрон җыюларда һәм системаларда оптималь эшкә ирешү өчен кирәк.
Аларның җылылык һәм механик өстенлекләренә өстәп, SiN керамикасы тигез субстратлары искиткеч электр изоляциясе үзенчәлекләрен тәкъдим итә. Бу минималь электр комачаулавын тәэмин итә һәм электрон компонентларның гомуми тотрыклылыгына һәм эффективлыгына ярдәм итә, аларның эш срогын арттыра.
Семицераның SiN керамикасы тигез субстратларын сайлап, сез алдынгы материаль фәнне иң яхшы җитештерү белән берләштергән продукт сайлыйсыз. Сыйфат һәм инновациягә тугры булуыбыз, сәнәгатьнең иң югары стандартларына туры килгән һәм алдынгы технология проектларыгызның уңышын яклаучы субстратлар алуыгызны гарантияли.
| Предметлар | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| Бәллүр параметрлар | |||
| Политип | 4H | ||
| Faceир өстендә ориентация хата | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Электр параметрлары | |||
| Допант | азот | ||
| Каршылык | 0.015-0.025ohm · см | ||
| Механик параметрлар | |||
| Диаметр | 150,0 ± 0,2 мм | ||
| Калынлык | 350 ± 25 мм | ||
| Беренчел яссы юнәлеш | [1-100] ± 5 ° | ||
| Беренчел яссы озынлык | 47,5 ± 1,5 мм | ||
| Икенче фатир | Беркем дә юк | ||
| TTV | ≤5 мм | ≤10 мм | ≤15 мм |
| ЛТВ | ≤3 μm (5 мм * 5 мм) | ≤5 μm (5 мм * 5 мм) | ≤10 μm (5 мм * 5 мм) |
| Bowәя | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Сугыш | ≤35 мм | ≤45 μm | ≤55 мм |
| Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Структурасы | |||
| Микропип тыгызлыгы | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Металл пычраклары | ≤5E10атом / см2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / см2 | NA |
| TSD | 00500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Алгы сыйфат | |||
| Фронт | Si | ||
| Faceир өсте бетү | Si-face CMP | ||
| Кисәкчәләр | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Сызулар | ≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр | Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA |
| Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану | Беркем дә юк | NA | |
| Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр | Беркем дә юк | ||
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤20% | Кумулятив мәйдан ≤30% |
| Алгы лазер маркировкасы | Беркем дә юк | ||
| Арткы сыйфат | |||
| Артка тәмамлау | C-йөзле CMP | ||
| Сызулар | ≤5ea / мм, Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA | |
| Арткы җитешсезлекләр (кыр чиплары / индекс) | Беркем дә юк | ||
| Арткы тупаслык | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Арткы лазер маркировкасы | 1 мм (өске кырдан) | ||
| Кыр | |||
| Кыр | Чамфер | ||
| Пакетлау | |||
| Пакетлау | Эпи вакуум упаковка белән әзер Күп ваферлы кассета төрү | ||
| * Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин. | |||
