Семицера кремний ваферлары микропроцессорлардан алып фотоволтаик күзәнәкләргә кадәр ярымүткәргеч җайланмаларның нигезе булып хезмәт итәр өчен җентекләп эшләнгән. Бу ваферлар югары төгәллек һәм чисталык белән эшләнгән, төрле электрон кушымталарда оптималь эшне тәэмин итә.
Алдынгы техника ярдәмендә җитештерелгән, Семицера Кремний Ваферлары ярымүткәргеч җитештерүдә югары уңыш алу өчен бик мөһим булган тигезлекне һәм бердәмлекне күрсәтәләр. Бу төгәллек дәрәҗәсе кимчелекләрне киметергә һәм электрон компонентларның гомуми эффективлыгын күтәрергә ярдәм итә.
Семицера кремний ваферларының югары сыйфаты аларның ярымүткәргеч җайланмаларының көчәйтелгән эшенә ярдәм итүче электр характеристикаларында ачык күренә. Аз пычраклык дәрәҗәсе һәм югары кристалл сыйфаты белән, бу ваферлар югары җитештерүчән электрониканы үстерү өчен идеаль мәйданчык бирәләр.
Төрле зурлыкларда һәм спецификацияләрдә бар, Семицера Кремний Ваферлары төрле тармакларның, шул исәптән исәпләү, телекоммуникация һәм яңартыла торган энергиянең махсус ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен эшләнергә мөмкин. Зур масштаблы җитештерү яки махсус тикшеренүләр өченме, бу вафиннар ышанычлы нәтиҗәләр бирә.
Семицера ярымүткәргеч сәнәгатенең үсешенә һәм инновациясенә булышырга әзер, югары сәнәгать стандартларына туры килгән югары сыйфатлы кремний вафлары белән тәэмин итеп. Төгәллеккә һәм ышанычлылыкка игътибар итеп, Semicera җитештерүчеләргә технология чикләрен этәрергә мөмкинлек бирә, аларның продуктлары базарда алгы планда кала.
| Предметлар | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| Бәллүр параметрлар | |||
| Политип | 4H | ||
| Faceир өстендә ориентация хата | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Электр параметрлары | |||
| Допант | азот | ||
| Каршылык | 0.015-0.025ohm · см | ||
| Механик параметрлар | |||
| Диаметр | 150,0 ± 0,2 мм | ||
| Калынлык | 350 ± 25 мм | ||
| Беренчел яссы юнәлеш | [1-100] ± 5 ° | ||
| Беренчел яссы озынлык | 47,5 ± 1,5 мм | ||
| Икенче фатир | Беркем дә юк | ||
| TTV | ≤5 мм | ≤10 мм | ≤15 мм |
| ЛТВ | ≤3 μm (5 мм * 5 мм) | ≤5 μm (5 мм * 5 мм) | ≤10 μm (5 мм * 5 мм) |
| Bowәя | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Сугыш | ≤35 мм | ≤45 μm | ≤55 мм |
| Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Структурасы | |||
| Микропип тыгызлыгы | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Металл пычраклары | ≤5E10атом / см2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / см2 | NA |
| TSD | 00500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Алгы сыйфат | |||
| Фронт | Si | ||
| Faceир өсте бетү | Si-face CMP | ||
| Кисәкчәләр | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Сызулар | ≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр | Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA |
| Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану | Беркем дә юк | NA | |
| Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр | Беркем дә юк | ||
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤20% | Кумулятив мәйдан ≤30% |
| Алгы лазер маркировкасы | Беркем дә юк | ||
| Арткы сыйфат | |||
| Артка тәмамлау | C-йөзле CMP | ||
| Сызулар | ≤5ea / мм, кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA | |
| Арткы кимчелекләр (кыр чиплары / индекс) | Беркем дә юк | ||
| Арткы тупаслык | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Арткы лазер маркировкасы | 1 мм (өске кырдан) | ||
| Кыр | |||
| Кыр | Чамфер | ||
| Пакетлау | |||
| Пакетлау | Эпи вакуум упаковка белән әзер Күп ваферлы кассета төрү | ||
| * Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин. | |||
