Семицера кремний субстратлары ярымүткәргеч сәнәгатенең катгый таләпләрен канәгатьләндерү өчен эшләнгән, чагыштыргысыз сыйфат һәм төгәллек тәкъдим итә. Бу субстратлар төрле кушымталар өчен ышанычлы нигез бирә, интеграль схемалардан алып фотоволтаик күзәнәкләргә кадәр, оптималь эшне һәм озын гомерне тәэмин итә.
Семицера кремний субстратларының югары чисталыгы минималь җитешсезлекләрне һәм югары электр характеристикаларын тәэмин итә, алар югары эффектив электрон компонентлар җитештерү өчен бик мөһим. Бу чисталык дәрәҗәсе энергия югалтуын киметергә һәм ярымүткәргеч җайланмаларның гомуми эффективлыгын күтәрергә ярдәм итә.
Semicera заманча җитештерү техникасын куллана, кремний субстратларын гаҗәеп бердәмлек һәм яссылык белән җитештерү. Бу төгәллек ярымүткәргеч эшкәртүдә эзлекле нәтиҗәләргә ирешү өчен бик кирәк, монда хәтта кечкенә вариация дә җайланманың эшенә һәм уңышына тәэсир итә ала.
Төрле зурлыкларда һәм спецификацияләрдә бар, Семицера Кремний Субстратлары сәнәгать ихтыяҗларының киң ассортиментын канәгатьләндерә. Сез заманча микропроцессорлар яки кояш панельләрен үстерәсезме, бу субстратлар сезнең конкрет кушымтагыз өчен кирәкле сыгылучылык һәм ышанычлылык тәэмин итә.
Семицера ярымүткәргеч индустриясендә инновацияләрне һәм эффективлыкны тәэмин итүгә багышланган. Сыйфатлы кремний субстратлары белән тәэмин итеп, без җитештерүчеләргә базар чикләренең үсеш таләпләренә туры килгән продуктлар китереп, технология чикләрен куярга мөмкинлек бирәбез. Киләсе буын электрон һәм фотоволтаик чишелешләр өчен Семицерага ышаныгыз.
| Предметлар | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| Бәллүр параметрлар | |||
| Политип | 4H | ||
| Faceир өстендә ориентация хата | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Электр параметрлары | |||
| Допант | азот | ||
| Каршылык | 0.015-0.025ohm · см | ||
| Механик параметрлар | |||
| Диаметр | 150,0 ± 0,2 мм | ||
| Калынлык | 350 ± 25 мм | ||
| Беренчел яссы юнәлеш | [1-100] ± 5 ° | ||
| Беренчел яссы озынлык | 47,5 ± 1,5 мм | ||
| Икенче фатир | Беркем дә юк | ||
| TTV | ≤5 мм | ≤10 мм | ≤15 мм |
| ЛТВ | ≤3 μm (5 мм * 5 мм) | ≤5 μm (5 мм * 5 мм) | ≤10 μm (5 мм * 5 мм) |
| Bowәя | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Сугыш | ≤35 мм | ≤45 μm | ≤55 мм |
| Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Структурасы | |||
| Микропип тыгызлыгы | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Металл пычраклары | ≤5E10атом / см2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / см2 | NA |
| TSD | 00500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Алгы сыйфат | |||
| Фронт | Si | ||
| Faceир өсте бетү | Si-face CMP | ||
| Кисәкчәләр | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Сызулар | ≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр | Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA |
| Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану | Беркем дә юк | NA | |
| Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр | Беркем дә юк | ||
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤20% | Кумулятив мәйдан ≤30% |
| Алгы лазер маркировкасы | Беркем дә юк | ||
| Арткы сыйфат | |||
| Артка тәмамлау | C-йөзле CMP | ||
| Сызулар | ≤5ea / мм, Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA | |
| Арткы җитешсезлекләр (кыр чиплары / индекс) | Беркем дә юк | ||
| Арткы тупаслык | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Арткы лазер маркировкасы | 1 мм (өске кырдан) | ||
| Кыр | |||
| Кыр | Чамфер | ||
| Пакетлау | |||
| Пакетлау | Эпи вакуум упаковка белән әзер Күп ваферлы кассета төрү | ||
| * Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин. | |||
