Кремний изолятор ваферларындаСемицерадан югары җитештерүчән ярымүткәргеч чишелешләргә булган ихтыяҗны канәгатьләндерү өчен эшләнгән. Безнең SOI ваферлары өстен электр җитештерүчәнлеген һәм паразитик җайланманың сыйдырышлыгын киметәләр, аларны MEMS җайланмалары, сенсорлар, интеграль схемалар кебек алдынгы кушымталар өчен идеаль итә. Семицераның вафер җитештерү тәҗрибәсе аларның һәрберсен тәэмин итәSOI вафинкиләсе буын технология ихтыяҗлары өчен ышанычлы, югары сыйфатлы нәтиҗәләр бирә.
БезнеңКремний изолятор ваферларындачыгым эффективлыгы һәм эш башкару арасында оптималь баланс тәкъдим итегез. Сои вафер бәясе көннән-көн көндәшлеккә әверелгәч, бу ваферлар төрле тармакларда, шул исәптән микроэлектроника һәм оптоэлектроникада киң кулланыла. Semicera-ның югары төгәл җитештерү процессы өстен вафер бәйләнешен һәм бердәмлеген гарантияли, аларны SOI вафаларыннан алып стандарт кремний вафаларына кадәр төрле кушымталар өчен яраклы итә.
Төп үзенчәлекләр:
•EMгары сыйфатлы SOI ваферлары MEMS һәм башка кушымталарда эшләү өчен оптимальләштерелгән.
•Сыйфатны бозмыйча, алдынгы чишелешләр эзләүче бизнес өчен көндәшле сои-вафер бәясе.
•Заманча технологияләр өчен идеаль, көчәйтелгән электр изоляциясе һәм кремнийда изолятор системасында эффективлык тәкъдим итү.
БезнеңКремний изолятор ваферларындаярымүткәргеч технологиясендә киләсе инновация дулкынын хуплап, югары җитештерүчән карарлар белән тәэмин итү өчен эшләнгән. Сез куыш өстендә эшлисезмеSOI вафиннары, MEMS җайланмалары, яки изолятор компонентларындагы кремний, Semicera тармактагы иң югары стандартларга туры килгән ваферлар китерә.
| Предметлар | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| Бәллүр параметрлар | |||
| Политип | 4H | ||
| Faceир өстендә ориентация хата | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Электр параметрлары | |||
| Допант | азот | ||
| Каршылык | 0.015-0.025ohm · см | ||
| Механик параметрлар | |||
| Диаметр | 150,0 ± 0,2 мм | ||
| Калынлык | 350 ± 25 мм | ||
| Беренчел яссы юнәлеш | [1-100] ± 5 ° | ||
| Беренчел яссы озынлык | 47,5 ± 1,5 мм | ||
| Икенче фатир | Беркем дә юк | ||
| TTV | ≤5 мм | ≤10 мм | ≤15 мм |
| ЛТВ | ≤3 μm (5 мм * 5 мм) | ≤5 μm (5 мм * 5 мм) | ≤10 μm (5 мм * 5 мм) |
| Bowәя | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Сугыш | ≤35 мм | ≤45 μm | ≤55 мм |
| Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Структурасы | |||
| Микропип тыгызлыгы | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Металл пычраклары | ≤5E10атом / см2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / см2 | NA |
| TSD | 00500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Алгы сыйфат | |||
| Фронт | Si | ||
| Faceир өсте бетү | Si-face CMP | ||
| Кисәкчәләр | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Сызулар | ≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр | Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA |
| Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану | Беркем дә юк | NA | |
| Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр | Беркем дә юк | ||
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤20% | Кумулятив мәйдан ≤30% |
| Алгы лазер маркировкасы | Беркем дә юк | ||
| Арткы сыйфат | |||
| Артка тәмамлау | C-йөзле CMP | ||
| Сызулар | ≤5ea / мм, кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA | |
| Арткы кимчелекләр (кыр чиплары / индекс) | Беркем дә юк | ||
| Арткы тупаслык | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Арткы лазер маркировкасы | 1 мм (өске кырдан) | ||
| Кыр | |||
| Кыр | Чамфер | ||
| Пакетлау | |||
| Пакетлау | Эпи вакуум упаковка белән әзер Күп ваферлы кассета төрү | ||
| * Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин. | |||
