Кремнийда изолятор ваферы

Кыска тасвирлау:

Semicera's Silicon On Insulator (SOI) Wafer югары җитештерүчән кушымталар өчен махсус электр изоляциясе һәм җылылык белән идарә итә. Deviceгары җайланманың эффективлыгын һәм ышанычлылыгын тәэмин итү өчен эшләнгән, бу ваферлар алдынгы ярымүткәргеч технологиясе өчен төп сайлау. Заманча SOI вафин чишелешләре өчен Семицераны сайлагыз.


Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Семицераның кремнийы изоляторы (SOI) Вафер ярымүткәргеч инновацияләренең алгы сафында тора, көчәйтелгән электр изоляциясе һәм өстен җылылык күрсәткечләрен тәкъдим итә. SOI структурасы, изоляцион субстраттагы нечкә кремний катламыннан торган, югары җитештерүчән электрон җайланмалар өчен мөһим өстенлекләр бирә.

Безнең SOI ваферлары паразитик сыйдырышлыкны һәм агып торган агымнарны киметү өчен эшләнгән, бу югары тизлекле һәм аз көчле интеграль схемаларны үстерү өчен кирәк. Бу алдынгы технология җайланмаларның эффектив эшләвен тәэмин итә, тизлекне яхшырту һәм энергия куллануны киметү, заманча электроника өчен бик мөһим.

Semicera кулланган алдынгы җитештерү процесслары SOI ваферларын искиткеч бердәмлек һәм эзлеклелек белән җитештерүне гарантияли. Бу сыйфат телекоммуникация, автомобиль һәм кулланучылар электроникасында куллану өчен бик мөһим, монда ышанычлы һәм югары җитештерүчән компонентлар кирәк.

Электр өстенлекләренә өстәп, Семицераның SOI ваферлары югары җылылык изоляциясен тәкъдим итәләр, югары тыгызлыктагы һәм югары көчле җайланмаларда җылылык таралуны һәм тотрыклылыкны көчәйтәләр. Бу үзенчәлек җылылык җитештерүне үз эченә алган һәм эффектив җылылык белән идарә итүне таләп иткән кушымталарда аеруча кыйммәт.

Семицераның кремнийын изолятор ваферын сайлап, сез заманча технологияләр үсешен яклаучы продуктка инвестиция кертәсез. Сыйфат һәм инновациягә тугры булуыбыз безнең SOI ваферларыбызның ярымүткәргеч индустриясенең катгый таләпләрен канәгатьләндерүен тәэмин итә, киләсе буын электрон җайланмаларга нигез бирә.

Предметлар

Producитештерү

Тикшеренү

Думи

Бәллүр параметрлар

Политип

4H

Faceир өстендә ориентация хата

<11-20> 4 ± 0,15 °

Электр параметрлары

Допант

азот

Каршылык

0.015-0.025ohm · см

Механик параметрлар

Диаметр

150,0 ± 0,2 мм

Калынлык

350 ± 25 мм

Беренчел яссы юнәлеш

[1-100] ± 5 °

Беренчел яссы озынлык

47,5 ± 1,5 мм

Икенче фатир

Беркем дә юк

TTV

≤5 мм

≤10 мм

≤15 мм

ЛТВ

≤3 μm (5 мм * 5 мм)

≤5 μm (5 мм * 5 мм)

≤10 μm (5 мм * 5 мм)

Bowәя

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Сугыш

≤35 мм

≤45 μm

≤55 мм

Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

Структурасы

Микропип тыгызлыгы

<1 ea / cm2

<10 ea / cm2

<15 ea / cm2

Металл пычраклары

≤5E10атом / см2

NA

BPD

001500 ea / cm2

0003000 ea / см2

NA

TSD

00500 ea / cm2

0001000 ea / cm2

NA

Алгы сыйфат

Фронт

Si

Faceир өсте бетү

Si-face CMP

Кисәкчәләр

≤60ea / wafer (size≥0.3μm)

NA

Сызулар

≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр

Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр

NA

Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану

Беркем дә юк

NA

Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр

Беркем дә юк

Политип өлкәләре

Беркем дә юк

Кумулятив мәйдан ≤20%

Кумулятив мәйдан ≤30%

Алгы лазер маркировкасы

Беркем дә юк

Арткы сыйфат

Артка тәмамлау

C-йөзле CMP

Сызулар

≤5ea / мм, кумулятив озынлык≤2 * Диаметр

NA

Арткы кимчелекләр (кыр чиплары / индекс)

Беркем дә юк

Арткы тупаслык

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

Арткы лазер маркировкасы

1 мм (өске кырдан)

Кыр

Кыр

Чамфер

Пакетлау

Пакетлау

Эпи вакуум упаковка белән әзер

Күп ваферлы кассета төрү

* Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин.

tech_1_2_size
SiC вафиннары

  • Алдагы:
  • Киләсе: