Семицераның кремнийы изоляторы (SOI) Вафер ярымүткәргеч инновацияләренең алгы сафында тора, көчәйтелгән электр изоляциясе һәм өстен җылылык күрсәткечләрен тәкъдим итә. SOI структурасы, изоляцион субстраттагы нечкә кремний катламыннан торган, югары җитештерүчән электрон җайланмалар өчен мөһим өстенлекләр бирә.
Безнең SOI ваферлары паразитик сыйдырышлыкны һәм агып торган агымнарны киметү өчен эшләнгән, бу югары тизлекле һәм аз көчле интеграль схемаларны үстерү өчен кирәк. Бу алдынгы технология җайланмаларның эффектив эшләвен тәэмин итә, тизлекне яхшырту һәм энергия куллануны киметү, заманча электроника өчен бик мөһим.
Semicera кулланган алдынгы җитештерү процесслары SOI ваферларын искиткеч бердәмлек һәм эзлеклелек белән җитештерүне гарантияли. Бу сыйфат телекоммуникация, автомобиль һәм кулланучылар электроникасында куллану өчен бик мөһим, монда ышанычлы һәм югары җитештерүчән компонентлар кирәк.
Электр өстенлекләренә өстәп, Семицераның SOI ваферлары югары җылылык изоляциясен тәкъдим итәләр, югары тыгызлыктагы һәм югары көчле җайланмаларда җылылык таралуны һәм тотрыклылыкны көчәйтәләр. Бу үзенчәлек җылылык җитештерүне үз эченә алган һәм эффектив җылылык белән идарә итүне таләп иткән кушымталарда аеруча кыйммәт.
Семицераның кремнийын изолятор ваферын сайлап, сез заманча технологияләр үсешен яклаучы продуктка инвестиция кертәсез. Сыйфат һәм инновациягә тугры булуыбыз безнең SOI ваферларыбызның ярымүткәргеч индустриясенең катгый таләпләрен канәгатьләндерүен тәэмин итә, киләсе буын электрон җайланмаларга нигез бирә.
| Предметлар | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| Бәллүр параметрлар | |||
| Политип | 4H | ||
| Faceир өстендә ориентация хата | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Электр параметрлары | |||
| Допант | азот | ||
| Каршылык | 0.015-0.025ohm · см | ||
| Механик параметрлар | |||
| Диаметр | 150,0 ± 0,2 мм | ||
| Калынлык | 350 ± 25 мм | ||
| Беренчел яссы юнәлеш | [1-100] ± 5 ° | ||
| Беренчел яссы озынлык | 47,5 ± 1,5 мм | ||
| Икенче фатир | Беркем дә юк | ||
| TTV | ≤5 мм | ≤10 мм | ≤15 мм |
| ЛТВ | ≤3 μm (5 мм * 5 мм) | ≤5 μm (5 мм * 5 мм) | ≤10 μm (5 мм * 5 мм) |
| Bowәя | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Сугыш | ≤35 мм | ≤45 μm | ≤55 мм |
| Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Структурасы | |||
| Микропип тыгызлыгы | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Металл пычраклары | ≤5E10атом / см2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / см2 | NA |
| TSD | 00500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Алгы сыйфат | |||
| Фронт | Si | ||
| Faceир өсте бетү | Si-face CMP | ||
| Кисәкчәләр | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Сызулар | ≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр | Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA |
| Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану | Беркем дә юк | NA | |
| Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр | Беркем дә юк | ||
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤20% | Кумулятив мәйдан ≤30% |
| Алгы лазер маркировкасы | Беркем дә юк | ||
| Арткы сыйфат | |||
| Артка тәмамлау | C-йөзле CMP | ||
| Сызулар | ≤5ea / мм, Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA | |
| Арткы җитешсезлекләр (кыр чиплары / индекс) | Беркем дә юк | ||
| Арткы тупаслык | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Арткы лазер маркировкасы | 1 мм (өске кырдан) | ||
| Кыр | |||
| Кыр | Чамфер | ||
| Пакетлау | |||
| Пакетлау | Эпи вакуум упаковка белән әзер Күп ваферлы кассета төрү | ||
| * Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин. | |||
