Семицераның Кремний Нитрид Керамик Субстраты җылылык үткәрүчәнлеген һәм нык механик үзлекләрен тәэмин итеп, алдынгы материал технологияләренең иң югары ноктасын күрсәтә. Performanceгары җитештерүчән кушымталар өчен эшләнгән, бу субстрат ышанычлы җылылык белән идарә итүне һәм структур бөтенлекне таләп итә торган мохиттә өстенлек бирә.
Безнең Кремний Нитрид керамик субстратлары экстремаль температураларга һәм катлаулы шартларга каршы тору өчен эшләнгән, аларны югары көчле һәм югары ешлыктагы электрон җайланмалар өчен идеаль итә. Аларның югары җылылык үткәрүчәнлеге җылылыкның эффектив таралуын тәэмин итә, бу электрон компонентларның эшләвен һәм озын гомерен саклау өчен бик мөһим.
Семицераның сыйфатка тугрылыгы без җитештергән һәр Кремний Нитрид керамик субстратында ачык күренә. Eachәр субстрат эзлекле эшне һәм минималь җитешсезлекләрне тәэмин итү өчен заманча процесслар ярдәмендә җитештерелә. Бу югары дәрәҗәдәге төгәллек автомобиль, аэрокосмос, телекоммуникация кебек тармакларның катгый таләпләрен хуплый.
Аларның җылылык һәм механик өстенлекләренә өстәп, безнең субстратлар искиткеч электр изоляция үзенчәлекләрен тәкъдим итәләр, бу сезнең электрон җайланмаларның гомуми ышанычлылыгына ярдәм итә. Электр комачаулавын киметеп һәм компонент тотрыклылыгын көчәйтеп, Семицераның Кремний Нитрид керамик субстратлары җайланма эшчәнлеген оптимальләштерүдә мөһим роль уйныйлар.
Семицераның кремний нитрид керамик субстратын сайлау - югары җитештерүчәнлекне дә, ныклыкны да тәэмин итүче продуктка инвестиция кертү дигән сүз. Безнең субстратлар алдынгы электрон кушымталар ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен эшләнгән, сезнең җайланмалар заманча материал технологияләреннән һәм гаҗәеп ышанычлы булудан файдалана.
| Предметлар | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| Бәллүр параметрлар | |||
| Политип | 4H | ||
| Faceир өстендә ориентация хата | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Электр параметрлары | |||
| Допант | азот | ||
| Каршылык | 0.015-0.025ohm · см | ||
| Механик параметрлар | |||
| Диаметр | 150,0 ± 0,2 мм | ||
| Калынлык | 350 ± 25 мм | ||
| Беренчел яссы юнәлеш | [1-100] ± 5 ° | ||
| Беренчел яссы озынлык | 47,5 ± 1,5 мм | ||
| Икенче фатир | Беркем дә юк | ||
| TTV | ≤5 мм | ≤10 мм | ≤15 мм |
| ЛТВ | ≤3 μm (5 мм * 5 мм) | ≤5 μm (5 мм * 5 мм) | ≤10 μm (5 мм * 5 мм) |
| Bowәя | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Сугыш | ≤35 мм | ≤45 μm | ≤55 мм |
| Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Структурасы | |||
| Микропип тыгызлыгы | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Металл пычраклары | ≤5E10атом / см2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / см2 | NA |
| TSD | 00500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Алгы сыйфат | |||
| Фронт | Si | ||
| Faceир өсте бетү | Si-face CMP | ||
| Кисәкчәләр | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Сызулар | ≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр | Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA |
| Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану | Беркем дә юк | NA | |
| Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр | Беркем дә юк | ||
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤20% | Кумулятив мәйдан ≤30% |
| Алгы лазер маркировкасы | Беркем дә юк | ||
| Арткы сыйфат | |||
| Артка тәмамлау | C-йөзле CMP | ||
| Сызулар | ≤5ea / мм, Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA | |
| Арткы җитешсезлекләр (кыр чиплары / индекс) | Беркем дә юк | ||
| Арткы тупаслык | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Арткы лазер маркировкасы | 1 мм (өске кырдан) | ||
| Кыр | |||
| Кыр | Чамфер | ||
| Пакетлау | |||
| Пакетлау | Эпи вакуум упаковка белән әзер Күп ваферлы кассета төрү | ||
| * Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин. | |||
