Семицераның кремний фильмы - ярымүткәргеч индустриясенең катгый таләпләрен канәгатьләндерү өчен эшләнгән югары сыйфатлы, төгәл инженер материал. Чиста кремнийдан җитештерелгән бу нечкә пленка эремәсе искиткеч бердәмлекне, югары чисталыкны, һәм электр һәм җылылык үзенчәлекләрен тәкъдим итә. Бу төрле ярымүткәргеч кушымталарда куллану өчен идеаль, шул исәптән Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi-Wafer. Семицераның кремний фильмы ышанычлы һәм эзлекле эшне тәэмин итә, аны алдынгы микроэлектроника өчен кирәкле материал итә.
Ярымүткәргеч җитештерү өчен югары сыйфат һәм күрсәткеч
Семицераның кремний фильмы искиткеч механик көче, югары җылылык тотрыклылыгы һәм түбән җитешсезлек темплары белән билгеле, болар барысы да югары җитештерүчән ярымүткәргечләр ясауда бик мөһим. Галлиум Оксиды (Ga2O3) җайланмалары, AlN Wafer яки Epi-Wafers җитештерүдә кулланылса да, фильм нечкә фильм чүпләү һәм эпитаксиаль үсеш өчен ныклы нигез бирә. SiC Substrate һәм SOI Wafers кебек башка ярымүткәргеч субстратлар белән туры килүе, булган җитештерү процессларына бертуктаусыз интеграцияләнүне тәэмин итә, югары уңышны һәм продуктның эзлекле сыйфатын сакларга булыша.
Ярымүткәргеч индустриясендә кушымталар
Ярымүткәргеч индустриясендә, Семицераның Кремний Фильмы Si Wafer һәм SOI Wafer җитештерүеннән алып SiN Substrate һәм Epi-Wafer ясау кебек махсус кулланылышка кадәр кулланыла. Бу фильмның югары чисталыгы һәм төгәллеге аны микропроцессорлардан һәм интеграль схемалардан алып оптоэлектрон җайланмаларга кадәр кулланылган алдынгы компонентлар җитештерүдә мөһим итә.
Кремний фильмы ярымүткәргеч процессларда эпитаксиаль үсеш, вафер бәйләнеше һәм нечкә фильм чүпләү кебек роль уйный. Аның ышанычлы характеристикалары югары үткәргеч мохит таләп иткән тармаклар өчен аеруча кыйммәтле, мәсәлән, ярымүткәргеч фаблардагы чистарту бүлмәләре. Моннан тыш, Кремний Фильмы кассета системасына эффектив эшкәртү һәм җитештерү вакытында транспорт өчен интеграцияләнергә мөмкин.
Озак вакытлы ышанычлылык һәм эзлеклелек
Семицераның кремний фильмын куллануның төп өстенлекләренең берсе - аның озак вакытлы ышанычлылыгы. Искиткеч ныклыгы һәм эзлекле сыйфаты белән бу фильм югары күләмле җитештерү мохите өчен ышанычлы чишелеш тәкъдим итә. Highгары төгәл ярымүткәргеч җайланмаларда яки алдынгы электрон кушымталарда кулланылса да, Семицераның Кремний Фильмы җитештерүчеләрнең төрле продуктларда югары җитештерүчәнлеккә һәм ышанычлылыкка ирешүен тәэмин итә.
Нигә Семицераның кремний фильмын сайларга?
Семицерадан алынган кремний фильмы ярымүткәргеч өлкәсендә заманча кушымталар өчен мөһим материал. Аның югары җитештерүчәнлек үзенчәлекләре, шул исәптән искиткеч җылылык тотрыклылыгы, югары чисталык, механик көч, аны ярымүткәргеч җитештерүдә иң югары стандартларга ирешергә омтылган җитештерүчеләр өчен идеаль сайлау ясый. Si Wafer һәм SiC Substrate-дан Gallium Oxide Ga2O3 җайланмалары җитештерүгә кадәр, бу фильм чагыштыргысыз сыйфат һәм күрсәткеч бирә.
Семицераның кремний фильмы ярдәмендә сез хәзерге ярымүткәргеч җитештерү ихтыяҗларын канәгатьләндерә торган продуктка ышана аласыз, киләсе буын электроникасы өчен ышанычлы нигез бирә.
| Предметлар | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| Бәллүр параметрлар | |||
| Политип | 4H | ||
| Faceир өстендә ориентация хата | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Электр параметрлары | |||
| Допант | азот | ||
| Каршылык | 0.015-0.025ohm · см | ||
| Механик параметрлар | |||
| Диаметр | 150,0 ± 0,2 мм | ||
| Калынлык | 350 ± 25 мм | ||
| Беренчел яссы юнәлеш | [1-100] ± 5 ° | ||
| Беренчел яссы озынлык | 47,5 ± 1,5 мм | ||
| Икенче фатир | Беркем дә юк | ||
| TTV | ≤5 мм | ≤10 мм | ≤15 мм |
| ЛТВ | ≤3 μm (5 мм * 5 мм) | ≤5 μm (5 мм * 5 мм) | ≤10 μm (5 мм * 5 мм) |
| Bowәя | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Сугыш | ≤35 мм | ≤45 μm | ≤55 мм |
| Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Структурасы | |||
| Микропип тыгызлыгы | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Металл пычраклары | ≤5E10атом / см2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / см2 | NA |
| TSD | 00500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Алгы сыйфат | |||
| Фронт | Si | ||
| Faceир өсте бетү | Si-face CMP | ||
| Кисәкчәләр | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Сызулар | ≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр | Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA |
| Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану | Беркем дә юк | NA | |
| Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр | Беркем дә юк | ||
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤20% | Кумулятив мәйдан ≤30% |
| Алгы лазер маркировкасы | Беркем дә юк | ||
| Арткы сыйфат | |||
| Артка тәмамлау | C-йөзле CMP | ||
| Сызулар | ≤5ea / мм, кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA | |
| Арткы кимчелекләр (кыр чиплары / индекс) | Беркем дә юк | ||
| Арткы тупаслык | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Арткы лазер маркировкасы | 1 мм (өске кырдан) | ||
| Кыр | |||
| Кыр | Чамфер | ||
| Пакетлау | |||
| Пакетлау | Эпи вакуум упаковка белән әзер Күп ваферлы кассета төрү | ||
| * Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин. | |||
