СемицераКремний Карбид Эпитаксызаманча ярымүткәргеч кушымталарның катгый таләпләрен канәгатьләндерү өчен эшләнгән. Алга киткән эпитаксиаль үсеш техникасын кулланып, без һәр кремний карбид катламының кристалл сыйфатын, бердәмлеген һәм минималь җитешсезлек тыгызлыгын күрсәтүен тәэмин итәбез. Бу характеристикалар югары җитештерүчәнлек электроникасын үстерү өчен бик мөһим, монда эффективлык һәм җылылык белән идарә итү иң мөһиме.
.Әр сүзнеңКремний Карбид ЭпитаксыСемицерадагы процесс төгәл калынлык һәм допинг контроле белән эпитаксиаль катламнар җитештерү өчен оптимальләштерелгән, төрле җайланмалар арасында эзлекле эшне тәэмин итә. Бу төгәллек дәрәҗәсе ышанычлылык һәм эффективлык мөһим булган электр машиналарында, яңартыла торган энергия системаларында һәм югары ешлыктагы элемтәдә куллану өчен бик кирәк.
Моннан тыш, СемицераКремний Карбид Эпитаксыкөчәйтелгән җылылык үткәрүчәнлеген һәм югары көчәнеш көчәнешен тәкъдим итә, бу экстремаль шартларда эшләүче җайланмалар өчен өстенлекле сайлау. Бу үзлекләр җайланманың озын гомеренә һәм системаның гомуми эффективлыгын яхшыртырга ярдәм итә, аеруча югары көчле һәм югары температуралы шартларда.
Semicera шулай ук үзләштерү вариантларын тәкъдим итәКремний Карбид Эпитаксы, җайланма таләпләренә туры килгән махсус карарлар кабул итү. Тикшеренү яки зур масштаблы производство өченме, безнең эпитаксиаль катламнар киләсе буын ярымүткәргеч инновацияләренә булышу өчен эшләнгән, көчлерәк, эффектив һәм ышанычлы электрон җайланмалар үсешенә мөмкинлек бирә.
Заманча технологияләрне һәм катгый сыйфат белән идарә итү процессларын берләштереп, Семицера безне тәэмин итәКремний Карбид Эпитаксыпродуктлар сәнәгать стандартларына туры килә генә түгел. Бу өстенлеккә омтылу безнең эпитаксиаль катламнарны алдынгы ярымүткәргеч кушымталар өчен идеаль нигезгә әйләндерә, электр электроникасында һәм оптоэлектроникада уңышларга юл ача.
| Предметлар | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| Бәллүр параметрлар | |||
| Политип | 4H | ||
| Faceир өстендә ориентация хата | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Электр параметрлары | |||
| Допант | азот | ||
| Каршылык | 0.015-0.025ohm · см | ||
| Механик параметрлар | |||
| Диаметр | 150,0 ± 0,2 мм | ||
| Калынлык | 350 ± 25 мм | ||
| Беренчел яссы юнәлеш | [1-100] ± 5 ° | ||
| Беренчел яссы озынлык | 47,5 ± 1,5 мм | ||
| Икенче фатир | Беркем дә юк | ||
| TTV | ≤5 мм | ≤10 мм | ≤15 мм |
| ЛТВ | ≤3 μm (5 мм * 5 мм) | ≤5 μm (5 мм * 5 мм) | ≤10 μm (5 мм * 5 мм) |
| Bowәя | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Сугыш | ≤35 мм | ≤45 μm | ≤55 мм |
| Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Структурасы | |||
| Микропип тыгызлыгы | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Металл пычраклары | ≤5E10атом / см2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / см2 | NA |
| TSD | 00500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Алгы сыйфат | |||
| Фронт | Si | ||
| Faceир өсте бетү | Si-face CMP | ||
| Кисәкчәләр | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Сызулар | ≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр | Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA |
| Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану | Беркем дә юк | NA | |
| Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр | Беркем дә юк | ||
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤20% | Кумулятив мәйдан ≤30% |
| Алгы лазер маркировкасы | Беркем дә юк | ||
| Арткы сыйфат | |||
| Артка тәмамлау | C-йөзле CMP | ||
| Сызулар | ≤5ea / мм, кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA | |
| Арткы кимчелекләр (кыр чиплары / индекс) | Беркем дә юк | ||
| Арткы тупаслык | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Арткы лазер маркировкасы | 1 мм (өске кырдан) | ||
| Кыр | |||
| Кыр | Чамфер | ||
| Пакетлау | |||
| Пакетлау | Эпи вакуум упаковка белән әзер Күп ваферлы кассета төрү | ||
| * Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин. | |||
