Кремний карбид каплау графиты

Кыска тасвирлау:

Ярымүткәргечнең Кремний Карбид Каплау Графит Суссепторы эпитакси кушымталары өчен искиткеч җылылык үткәрүчәнлеген һәм ныклыгын тәэмин итә. Сезнең эпитаксиаль процессларны SiC каплау технологиясе белән көчәйтү өчен эшләнгән алдынгы сусепторлар өчен Семицерага таяныгыз.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Тасвирлау

Семицераның SiC белән капланган графит сепсепторлары югары сыйфатлы графит субстратлары ярдәмендә эшләнгән, алар Кремний Карбид (SiC) белән химик пар парламенты (CVD) процесслары ярдәмендә җентекләп капланган. Бу инновацион дизайн җылылык шокына һәм химик деградациягә каршы торуны тәэмин итә, SiC капланган графит сусепторының гомерен сизелерлек озайта һәм ярымүткәргеч җитештерү процессында ышанычлы эшне гарантияли.

Төп үзенчәлекләр ：

1. Supгары җылылык үткәрүчәнлегеSiC белән капланган графит сусепторы җылылык үткәрүчәнлеген күрсәтә, бу ярымүткәргеч җитештерү вакытында җылылыкның эффектив таралуы өчен бик мөһим. Бу үзенчәлек, ярымүткәргеч үзлекләренә ирешү өчен кирәк булган бердәм температураны таратуга ярдәм итеп, вафер өслегендәге җылылык градиентларын минимальләштерә.

2. Химик һәм җылылык шокына каршы торуSiC каплавы химик коррозиядән һәм җылылык шокыннан куркыныч саклый, хәтта каты эшкәртү шартларында да графит сусепторының бөтенлеген саклый. Бу көчәйтелгән ныклык эш вакытын киметә һәм гомер озынлыгын озайта, ярымүткәргеч җитештерү корылмаларында җитештерүчәнлекне һәм чыгым эффективлыгын арттыра.

3. Конкрет ихтыяҗлар өчен үзләштерүБезнең SiC капланган графит сиземторлары махсус таләпләргә һәм өстенлекләргә туры китереп эшләнергә мөмкин. Төрле кушымталар һәм процесс параметрлары өчен дизайнның сыгылмалылыгын һәм оптималь эшләвен тәэмин итү өчен, без зурлык көйләүләрен һәм каплау калынлыгындагы үзгәрешләрне кертеп, үзләштерү вариантларын тәкъдим итәбез.

Кушымталар ：

Семицера SiC кушымталары ярымүткәргеч җитештерүнең төрле этапларында кулланыла, шул исәптән:
1. -ЛЕД Чип җитештерү
2. Полисиликон җитештерү
3. -Семикүткәргеч кристалл үсеше
4. -Силикон һәм SiC эпитаксы
5. -Термаль оксидлашу һәм диффузия (TO&D)