Семицерадан алынган каты SiC фокус боҗрасы - алдынгы ярымүткәргеч җитештерү таләпләрен канәгатьләндерү өчен эшләнгән заманча компонент. Highгары чисталыктан ясалганКремний Карбид (SiC), бу фокус боҗра ярымүткәргеч индустриясендә, бигрәк тә, бик күп кушымталар өчен идеальCVD SiC процесслары, плазма эфиры, һәмICPRIE (Индуктив рәвештә кушылган Плазма реактив Ион Этчинг). Гадәттәге киемгә каршы тору, югары җылылык тотрыклылыгы, чисталыгы белән билгеле, ул югары стресс шартларында озак эшләүне тәэмин итә.
Ярымүткәргечтәваферэшкәртү, Каты SiC Фокус боҗралары коры эфирлау һәм вафер эшкәртү вакытында төгәл чистартуны саклауда бик мөһим. SiC фокус боҗрасы плазманы эшкәртү процесслары кебек плазманы тупларга булыша, аны кремний вафалары өчен кирәксез итә. Каты SiC материалы эрозиягә тиңдәш булмаган каршылык тәкъдим итә, җиһазларның озын гомерен тәэмин итә һәм ярымүткәргеч эшкәртүдә югары үткәрүне саклап калу өчен кирәк булган эш вакытын киметә.
Семицерадан алынган каты SiC фокус боҗрасы ярымүткәргеч тармагында еш очрый торган экстремаль температураларга һәм агрессив химикларга каршы тору өчен эшләнгән. Бу махсус төгәл эшләрдә куллану өчен махсус эшләнгәнCVD SiC капламалары, монда чисталык һәм ныклык иң мөһиме. Rылылык шокына искиткеч каршылык белән, бу продукт иң катлаулы шартларда эзлекле һәм тотрыклы эшләүне тәэмин итә, шул исәптән югары температурада.ваферэфир процесслары.
Ярымүткәргеч кушымталарда, төгәллек һәм ышанычлылык төп булганда, Solid SiC Focus Ring эфир процессларының гомуми эффективлыгын күтәрүдә төп роль уйный. Аның нык, югары җитештерүчәнлеге дизайны аны экстремаль шартларда башкаручы югары чисталык компонентларын таләп итүче тармаклар өчен иң яхшы сайлау ясый. КулланылганмыCVD SiC боҗрасыкушымталар яисә плазманы эшкәртү процессы кысаларында, Semicera's Solid SiC Focus Ring сезнең җитештерү процесслары таләп иткән озын гомерне һәм ышанычлылыкны тәкъдим итеп, җиһазларның эшләвен оптимальләштерергә ярдәм итә.
Төп үзенчәлекләр:
• Кием өстенлеге һәм югары җылылык тотрыклылыгы
Озын гомер өчен югары чисталык Каты SiC материалы
• Плазма эфиры, ICP RIE, коры эфир кушымталары өчен идеаль
• Бигрәк тә CVD SiC процессларында вафер эфиры өчен бик яхшы
• Экстремаль мохиттә һәм югары температурада ышанычлы эш
• Кремний вафаларын эшкәртүдә төгәллекне һәм эффективлыкны тәэмин итә
Кушымталар:
Ярымүткәргеч җитештерүдә CVD SiC процесслары
• Плазма эфиры һәм ICP RIE системалары
• Коры чистарту һәм вафер эшкәртү процессы
• Плазма эшкәртү машиналарында чистарту һәм чүпләү
Вафер боҗралары һәм CVD SiC боҗралары өчен төгәл компонентлар
CVD SiC өслегенең микроскопик морфологиясе
CVD SiC кисемтәсенең микроскопик морфологиясе
