Тасвирлау
Semicorex'ның MOCVD өчен SiC Wafer Susceptors (металл-органик химик пар парламенты) эпитаксиаль чүпләү процессларының таләпләрен канәгатьләндерү өчен эшләнгән. Сыйфатлы Кремний Карбидын (SiC) кулланып, бу сенсорлар ярымүткәргеч материалларның төгәл һәм эффектив үсешен тәэмин итеп, югары температура һәм коррозив мохиттә тиңсез ныклык һәм эш тәкъдим итәләр.
Төп үзенчәлекләр:
1. Materialгары материал үзенчәлекләреGradeгары класслы SiC-тан төзелгән, безнең вафин сусепторлары җылылык үткәрүчәнлеген һәм химик каршылыгын күрсәтәләр. Бу үзлекләр аларга MOCVD процессларының экстремаль шартларына каршы торырга мөмкинлек бирә, шул исәптән югары температура һәм коррозив газлар, озын гомерне һәм ышанычлы эшне тәэмин итү.
2. Эпитаксиаль чүплектә төгәллекБезнең SiC Wafer Susceptors-ның төгәл инженериясе вафер өслегендә бердәм температураның таралуын тәэмин итә, эзлекле һәм югары сыйфатлы эпитаксиаль катлам үсешен җиңеләйтә. Бу төгәллек оптималь электр үзлекләре булган ярымүткәргечләр җитештерү өчен бик мөһим.
3. Көчле ныклыкНык SiC материалы хәтта катлаулы процесс мохитенә өзлексез тәэсир иткәндә дә киемгә һәм деградациягә искиткеч каршылык бирә. Бу ныклык, сенсорны алыштыру ешлыгын киметә, эш вакытын һәм оператив чыгымнарны киметә.
Кушымталар ：
Semicorex's SiC Wafer Susceptors MOCVD өчен бик уңайлы:
• Ярымүткәргеч материалларның эпитаксиаль үсеше
• temperatureгары температуралы MOCVD процесслары
• GaN, AlN һәм башка катнаш ярымүткәргечләр җитештерү
• Ярымүткәргеч җитештерүнең алдынгы кушымталары
CVD-SIC капламаларының төп үзенчәлекләре:
Файдасы:
•Preгары төгәллек: Бердәм һәм югары сыйфатлы эпитаксиаль үсешне тәэмин итә.
•Озакка сузылган спектакль: Гадәттән тыш ныклык алмаштыру ешлыгын киметә.
• Чыгым-эффективлык: Эшне кыскарту һәм хезмәт күрсәтү аша оператив чыгымнарны киметә.
•Күпкырлы: Төрле MOCVD процесс таләпләренә туры китереп көйләнә.
