SiC каплау графиты ваферы

SiC Coating Graphite Wafer Susceptor үзенчәлекле рәсем

Кыска тасвирлау:

Ярымүткәргечнең SiC каплау графиты вафер суссепторы җылылык эшкәртү һәм вафер эшкәртү өчен ныклык китерә. Ярымүткәргеч кушымталарда эффективлыкны һәм ышанычлылыкны арттыру өчен эшләнгән алдынгы SiC белән капланган сенсорлар өчен Семицерага таян.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Тасвирлау

Semicera-ның MOCVD өчен SiC Wafer Суссепторлары (металл-органик химик пар парламенты) эпитаксиаль чүпләү процессларының таләпләрен канәгатьләндерү өчен эшләнгән. Сыйфатлы Кремний Карбидын (SiC) кулланып, бу сенсорлар ярымүткәргеч материалларның төгәл һәм эффектив үсешен тәэмин итеп, югары температура һәм коррозив мохиттә тиңсез ныклык һәм эш тәкъдим итәләр.

Төп үзенчәлекләр:

1. Materialгары материал үзенчәлекләреGradeгары класслы SiC-тан төзелгән, безнең вафин сусепторлары җылылык үткәрүчәнлеген һәм химик каршылыгын күрсәтәләр. Бу үзлекләр аларга MOCVD процессларының экстремаль шартларына каршы торырга мөмкинлек бирә, шул исәптән югары температура һәм коррозив газлар, озын гомерне һәм ышанычлы эшне тәэмин итү.

2. Эпитаксиаль чүплектә төгәллекБезнең SiC Wafer Susceptors-ның төгәл инженериясе вафер өслегендә бердәм температураның таралуын тәэмин итә, эзлекле һәм югары сыйфатлы эпитаксиаль катлам үсешен җиңеләйтә. Бу төгәллек оптималь электр характеристикасы булган ярымүткәргечләр җитештерү өчен бик мөһим.

3. Көчле ныклыкНык SiC материалы хәтта катлаулы процесс мохитенә өзлексез тәэсир иткәндә дә киемгә һәм деградациягә искиткеч каршылык бирә. Бу ныклык, сенсорны алыштыру ешлыгын киметә, эш вакытын һәм оператив чыгымнарны киметә.