Тасвирлау
.Әр сүзнеңКремний Карбид Дискярымсерадан MOCVD өчен, эпитаксиаль үсеш процессларында оптималь эффективлык өчен эшләнгән югары эшлекле чишелеш. Кремний Карбид Диск ярым җылылык тотрыклылыгын һәм төгәллеген тәкъдим итә, аны Si Epitaxy һәм SiC Epitaxy процессларында мөһим компонент итә. OCгары температураларга һәм MOCVD кушымталарының таләпчән шартларына каршы тору өчен эшләнгән, бу диск ышанычлы эшләүне һәм озын гомерне тәэмин итә.
Безнең Кремний Карбид Диск MOCVD көйләүләренең киң ассортименты белән туры килә, шул исәптәнMOCVD Суссепторсистемалары, һәм SiC Epitaxy'та GaN кебек алдынгы процессларга ярдәм итә. Ул шулай ук PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier һәм RTP Carrier системалары белән шома берләшә, сезнең җитештерүнең төгәллеген һәм сыйфатын күтәрә. Монокристалл кремний җитештерү өчен яки LED Epitaxial Susceptor кушымталары өчен кулланылганмы, бу диск гаҗәеп нәтиҗәләр бирә.
Өстәвенә, ярымсераның Кремний Карбид Диск төрле конфигурацияләргә яраклаштырылган, шул исәптән Pancake Susceptor һәм Barrel Susceptor көйләүләре, төрле җитештерү мохитендә сыгылучылык тәкъдим итә. Фотовольтаик детальләрне кертү кояш энергиясе тармагына куллануны тагын да киңәйтә, аны заманча өчен күпкырлы һәм алыштыргысыз компонент итә.эпитаксиальүсеш һәм ярымүткәргеч җитештерү.
Төп үзенчәлекләр
1 .Бары чисталык SiC капланган графит
2. supгары җылылыкка каршы тору һәм җылылык бердәмлеге
3. ЯхшыSiC кристалл белән капланганшома өслек өчен
4. Химик чистартуга каршы ныклык
CVD-SIC капламаларының төп үзенчәлекләре:
| SiC-CVD | ||
| Тыгызлыгы | (g / cc) | 3.21 |
| Флексур көч | (Mpa) | 470 |
| Rылылык киңәюе | (10-6 / К) | 4 |
| Rылылык үткәрүчәнлеге | (W / mK) | 300 |
Урлау һәм җибәрү
Тапшыру сәләте:
Айга 10000 кисәк / кисәк
Пакетлау һәм китерү:
Урлау: Стандарт һәм көчле төрү
Поли сумка + тартма + картон + паллет
Порт:
Нинбо / Шэньчжэнь / Шанхай
Алдынгы вакыт:
| Сан (кисәкләр) | 1-1000 | > 1000 |
| Эст. Вакыт (көннәр) | 30 | Сөйләшү |
