Тасвирлау
Без кулланганда бик толерантлыкны саклыйбызSiC каплау, бердәм сенсор профилен тәэмин итү өчен, югары төгәл эшкәртү кулланып. Без шулай ук индуктив җылытылган системаларда куллану өчен идеаль электр каршылыгы үзенчәлекләре булган материаллар җитештерәбез. Барлык әзер компонентлар да чисталык һәм үлчәмле туры килү сертификаты белән килә.
Безнең компания тәэмин итәSiC каплауграфит, керамика һәм башка материаллар өстендә CVD ысулы белән хезмәт күрсәтү, шулай итеп углерод һәм кремний булган махсус газлар югары температурада реакцияләнәләр, югары чисталык SiC молекулалары, капланган материаллар өслегендә урнашкан молекулалар, СИС саклагыч катламы. Формалаштырылган СИС графит нигезенә нык бәйләнгән, графит базасына махсус үзенчәлекләр бирә, шулай итеп графит өслеген компакт, порозитсыз, югары температурага каршы, коррозиягә каршы һәм оксидлашуга каршы тора.
CVD процессы бик югары чисталык һәм теоретик тыгызлык китерәSiC каплаукүзәнәксез. Моннан тыш, кремний карбид бик каты булганлыктан, аны көзгегә охшатырга мөмкин.CVD кремний карбид (SiC) каплауультра югары чисталык өслеген һәм бик нык ныклыкны кертеп, берничә өстенлек китерде. Ябык продуктлар югары вакуумда һәм югары температурада зур җитештерүчәнлеккә ия булганлыктан, алар ярымүткәргеч индустриясендә һәм башка чиста мохиттә куллану өчен идеаль. Без шулай ук пиролитик графит (PG) продуктлары белән тәэмин итәбез.
Төп үзенчәлекләр
1. temperatureгары температураның оксидлашу каршылыгы:
температура 1600 С булганда, оксидлашуга каршы тору бик яхшы.
2. Purгары чисталык: химик парларны югары температурада хлорлаштыру шартларында ясыйлар.
3. Эрозиягә каршы тору: югары каты, компакт өслек, нечкә кисәкчәләр.
4. Коррозиягә каршы тору: кислота, алкалы, тоз һәм органик реагентлар.
CVD-SIC капламаларының төп үзенчәлекләре
| SiC-CVD | ||
| Тыгызлыгы | (g / cc) | 3.21 |
| Флексур көч | (Mpa) | 470 |
| Rылылык киңәюе | (10-6 / К) | 4 |
| Rылылык үткәрүчәнлеге | (W / mK) | 300 |
Заявка
CVD кремний карбид капламасы ярымүткәргеч тармакларда кулланылган, мәсәлән, MOCVD подшипкасы, РТП һәм оксид эшкәртү камерасы, чөнки кремний нитрид зур җылылык шокына каршы тора һәм югары энергия плазмасына каршы тора ала.
-Силикон карбид ярымүткәргечтә һәм каплауда киң кулланыла.
Заявка
Тапшыру сәләте:
Айга 10000 кисәк / кисәк
Пакетлау һәм китерү:
Урлау: Стандарт һәм көчле төрү
Поли сумка + тартма + картон + паллет
Порт:
Нинбо / Шэньчжэнь / Шанхай
Алдынгы вакыт:
| Сан (кисәкләр) | 1 - 1000 | > 1000 |
| Эст. Вакыт (көннәр) | 30 | Сөйләшү |
