Тасвирлау
Semicera GaN эпитакси ташучы заманча ярымүткәргеч җитештерүнең катгый таләпләрен канәгатьләндерү өчен җентекләп эшләнгән. Qualityгары сыйфатлы материаллар һәм төгәл инженерлык нигезе белән, бу ташучы үзенең гаҗәеп эшләве һәм ышанычлылыгы аркасында аерылып тора. Химик пар парламенты (CVD) Кремний Карбид (SiC) каплау интеграциясе югары ныклыкны, җылылык эффективлыгын һәм саклауны тәэмин итә, бу тармак белгечләре өчен өстенлекле сайлау.
Төп үзенчәлекләр
1. Гадәттән тыш ныклыкGaN Epitaxy Carrier өстендәге CVD SiC каплавы аның тузуга һәм чыдамлыгына каршы тора, эш срогын сизелерлек озайта. Бу ныклык хәтта җитештерү мохитен таләп иткәндә дә эзлекле эшне тәэмин итә, еш алыштыру һәм хезмәт күрсәтү ихтыяҗын киметә.
2. erгары җылылык эффективлыгыЯрымүткәргеч җитештерүдә җылылык белән идарә итү бик мөһим. GaN Epitaxy Carrier-ның алдынгы җылылык үзлекләре эпитаксиаль үсеш процессында оптималь температура шартларын саклап, эффектив җылылык таратуны җиңеләйтә. Бу эффективлык ярымүткәргеч вафатларның сыйфатын яхшыртып кына калмый, гомуми җитештерү нәтиҗәлелеген дә күтәрә.
3. Саклау мөмкинлекләреSiC каплавы химик коррозиядән һәм җылылык тетрәүдән нык саклый. Бу ташучының бөтен җитештерү процессында саклануын тәэмин итә, нечкә ярымүткәргеч материалларны саклый һәм җитештерү процессының гомуми уңышын һәм ышанычлылыгын арттыра.
Техник үзенчәлекләр:
Кушымталар ：
Semicorex GaN Epitaxy Carrier төрле ярымүткәргеч җитештерү процесслары өчен идеаль, шул исәптән:
• GaN эпитаксиаль үсеш
• temperatureгары температуралы ярымүткәргеч процесслар
• Химик пар парламенты (CVD)
• Башка алдынгы ярымүткәргеч җитештерү кушымталары
