Семицерааның югары сыйфаты белән таныштыраSi Epitaxyбүгенге ярымүткәргеч индустриясенең төгәл стандартларына туры китерелгән хезмәтләр. Эпитаксиаль кремний катламнары электрон җайланмаларның эшләве һәм ышанычлылыгы өчен бик мөһим, һәм безнең Si Epitaxy чишелешләре сезнең компонентларның оптималь эшләвен тәэмин итә.
Төгәл үскән кремний катламнары Семицераюгары җитештерүчән җайланмаларның нигезе кулланылган материалларның сыйфатында булуын аңлый. БезнеңSi Epitaxyкремний катламнарын чыгару өчен процесс җентекләп контрольдә тотыла, гаҗәеп бердәмлек һәм кристалл бөтенлеге. Бу катламнар микроэлектроникадан алып алдынгы электр җайланмаларына кадәр куллану өчен бик кирәк, анда эзлеклелек һәм ышанычлылык иң мөһиме.
Devайланма эше өчен оптимальләштерелгән.Әр сүзнеңSi EpitaxySemicera тәкъдим иткән хезмәтләр сезнең җайланмаларның электр үзлекләрен арттыру өчен эшләнгән. Аз җитешсезлек тыгызлыгы булган югары чисталык кремний катламнарын үстереп, без сезнең компонентларның иң яхшы эшләвен тәэмин итәбез, ташучының хәрәкәтчәнлеге яхшырган һәм минималь электр каршылыгы. Бу оптимизация заманча технологияләр таләп иткән югары тизлек һәм югары эффективлык характеристикасына ирешү өчен бик мөһим.
Кушымталарда күптөрлелек Семицера'sSi EpitaxyCMOS транзисторлары, MOSFET көче һәм биполяр тоташу транзисторларын кертеп, күп кушымталар өчен яраклы. Безнең сыгылмалы процесс сезнең проектның конкрет таләпләренә нигезләнеп көйләргә мөмкинлек бирә, сезгә югары ешлыклы кушымталар өчен нечкә катламнар кирәкме яки электр җайланмалары өчен калынрак катламнар кирәкме.
Materialгары материал сыйфатыСемицерада эшләгән һәр эшнең үзәгендә сыйфат тора. БезнеңSi Epitaxyпроцесс заманча җиһазлар һәм техниканы куллана, һәр кремний катламының чисталык һәм структур бөтенлекнең иң югары стандартларына туры килүен тәэмин итү. Бу детальгә игътибар җайланманың эшенә тәэсир итә торган кимчелекләр килеп чыгуын киметә, нәтиҗәдә ышанычлырак һәм озаграк компонентларга китерә.
Инновациягә тугрылык Семицераярымүткәргеч технологиясенең алгы сафында калырга тәвәккәл. БезнеңSi Epitaxyхезмәтләр эпитаксиаль үсеш техникасында соңгы казанышларны кертеп, бу бурычны күрсәтәләр. Без сәнәгатьнең үсеш ихтыяҗларын канәгатьләндерә торган кремний катламнарын җибәрү өчен үз процессларыбызны өзлексез чистартабыз, сезнең продуктларның базарда көндәшлеккә сәләтле булуын тәэмин итәбез.
Сезнең ихтыяҗларыгыз өчен махсус чишелешләрProjectәр проектның уникаль булуын аңлау,Семицераүзенчәлекле тәкъдим итәSi Epitaxyсезнең конкрет ихтыяҗларыгызга туры килерлек карарлар. Сезгә аерым допинг профильләре, катлам калынлыклары, яисә өслек бетүләре кирәкме, безнең команда сезнең төгәл спецификацияләрегезгә туры килгән продукт җибәрү өчен сезнең белән тыгыз хезмәттәшлек итә.
| Предметлар | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| Бәллүр параметрлар | |||
| Политип | 4H | ||
| Faceир өстендә ориентация хата | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Электр параметрлары | |||
| Допант | азот | ||
| Каршылык | 0.015-0.025ohm · см | ||
| Механик параметрлар | |||
| Диаметр | 150,0 ± 0,2 мм | ||
| Калынлык | 350 ± 25 мм | ||
| Беренчел яссы юнәлеш | [1-100] ± 5 ° | ||
| Беренчел яссы озынлык | 47,5 ± 1,5 мм | ||
| Икенче фатир | Беркем дә юк | ||
| TTV | ≤5 мм | ≤10 мм | ≤15 мм |
| ЛТВ | ≤3 μm (5 мм * 5 мм) | ≤5 μm (5 мм * 5 мм) | ≤10 μm (5 мм * 5 мм) |
| Bowәя | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Сугыш | ≤35 мм | ≤45 μm | ≤55 мм |
| Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Структурасы | |||
| Микропип тыгызлыгы | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Металл пычраклары | ≤5E10атом / см2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / см2 | NA |
| TSD | 00500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Алгы сыйфат | |||
| Фронт | Si | ||
| Faceир өсте бетү | Si-face CMP | ||
| Кисәкчәләр | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Сызулар | ≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр | Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA |
| Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану | Беркем дә юк | NA | |
| Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр | Беркем дә юк | ||
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤20% | Кумулятив мәйдан ≤30% |
| Алгы лазер маркировкасы | Беркем дә юк | ||
| Арткы сыйфат | |||
| Артка тәмамлау | C-йөзле CMP | ||
| Сызулар | ≤5ea / мм, Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA | |
| Арткы җитешсезлекләр (кыр чиплары / индекс) | Беркем дә юк | ||
| Арткы тупаслык | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Арткы лазер маркировкасы | 1 мм (өске кырдан) | ||
| Кыр | |||
| Кыр | Чамфер | ||
| Пакетлау | |||
| Пакетлау | Эпи вакуум упаковка белән әзер Күп ваферлы кассета төрү | ||
| * Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин. | |||
