Тасвирлау
Ярымүткәргеч SiC монокристалл кремний эпитаксиаль диск белән капланган, эпитаксиаль үсеш процесслары өчен эшләнгән заманча чишелеш. Semicera югары җылылык үткәрүчәнлеген һәм ныклыгын тәкъдим итүче югары җитештерүчән дисклар җитештерүдә махсуслаша, куллану өчен идеальSi EpitaxyһәмSiC Epitaxy. Кремний карбид (SiC) белән капланган бу эпитаксиаль диск ярымүткәргеч җитештерү процессларының эффективлыгын һәм төгәллеген арттыра.
БезнеңMOCVD Суссептортуры килүче эпитаксиаль диск төрле көйләүләрдә эзлекле эшне тәэмин итә, шул исәптән PSS Etching Carrier таләп итә торган системалар,ICP ЭтчингТашучы, һәм РТП ташучы. Бу диск Монокристалл Кремний җитештерүнең югары таләпләрен канәгатьләндерү өчен эшләнгән, аны LED Epitaxial Susceptor кушымталары һәм башка ярымүткәргеч үсеш процесслары өчен яраклы итә. Баррель Суссепторы һәм Панкейк Суссептор дизайннары җитештерүчеләр өчен күпкырлылык тәкъдим итә, ә Фотовольтаик Запчастьләрне куллану кояш индустриясенә кагыла.
Аның нык төзелеше белән, SiC эпитакси мөмкинлекләре буенча GaN бу дискның алдынгы эпитаксиаль системалар өчен кыйммәтен тагын да арттыра. Бу чишелеш ышанычлы, югары сыйфатлы нәтиҗәләр бирү өчен эшләнгән, аны заманча ярымүткәргеч һәм фотоволтаик җитештерү өчен мөһим компонент итә.
Төп үзенчәлекләр
1 .Бары чисталык SiC капланган графит
2. supгары җылылыкка каршы тору һәм җылылык бердәмлеге
3. ЯхшыSiC кристалл белән капланганшома өслек өчен
4. Химик чистартуга каршы ныклык
CVD-SIC капламаларының төп үзенчәлекләре:
| SiC-CVD | ||
| Тыгызлыгы | (g / cc) | 3.21 |
| Флексур көч | (Mpa) | 470 |
| Rылылык киңәюе | (10-6 / К) | 4 |
| Rылылык үткәрүчәнлеге | (W / mK) | 300 |
Урлау һәм җибәрү
Тапшыру сәләте:
Айга 10000 кисәк / кисәк
Пакетлау һәм китерү:
Урлау: Стандарт һәм көчле төрү
Поли сумка + тартма + картон + паллет
Порт:
Нинбо / Шэньчжэнь / Шанхай
Алдынгы вакыт:
| Сан (кисәкләр) | 1-1000 | > 1000 |
| Эст. Вакыт (көннәр) | 30 | Сөйләшү |
