PFA кассетасы

Кыска тасвирлау:

PFA кассетасы- Ярымүткәргеч җитештерүдә куркынычсыз һәм эффектив эшкәртү өчен идеаль чишелеш, Семицераның PFA кассетасы белән чагыштыргысыз химик каршылык һәм ныклык тәҗрибәсе.


Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Семицератәкъдим итәргә бик шатPFA кассетасы, химик каршылык һәм ныклык иң мөһиме булган мохиттә вафер эшкәртү өчен премиум сайлау. Perгары чисталыклы Perfluoroalkoxy (PFA) материалыннан эшләнгән бу кассета ярымүткәргеч эшкәртүдә иң таләпчән шартларга каршы тору өчен эшләнгән, ваферларыгызның куркынычсызлыгын һәм бөтенлеген тәэмин итә.

Тиңдәш булмаган химик каршылык.Әр сүзнеңPFA кассетасыхимикатларның киң ассортиментына өстен каршылык күрсәтү өчен эшләнгән, бу агрессив кислоталар, эреткечләр һәм башка каты химик матдәләр өчен процесслар өчен иң яхшы сайлау. Бу нык химик каршылык кассетаның иң коррозицион шартларда да тотрыклы һәм функциональ булып калуын тәэмин итә, шуның белән аның гомер озынлыгы озайтыла һәм еш алыштыру ихтыяҗы кими.

Pгары чисталык төзелешеСемицераPFA кассетасыультра-чиста PFA материалыннан җитештерелә, бу вафер эшкәртү вакытында пычрануны булдырмауда мөһим роль уйный. Бу югары чисталыклы төзелеш кисәкчәләр җитештерү һәм химик агып чыгу куркынычын киметә, сезнең вафиннарыгыз аларның сыйфатын боза торган пычраклардан саклануны тәэмин итә.

Күчерелгән ныклык һәм башкаруТотрыклылык өчен эшләнгән ,.PFA кассетасыэкстремаль температурада һәм каты эшкәртү шартларында структур бөтенлеген саклый. Highгары температурада булса да, кат-кат эшкәртелсә дә, бу кассета формасын һәм эшләвен саклый, җитештерү шартларында озак вакытлы ышанычлылык тәкъдим итә.

Куркынычсыз эшкәртү өчен төгәл инженерия.Әр сүзнеңSemicera PFA кассетасыкуркынычсыз һәм тотрыклы вафер белән эш итүне тәэмин итүче төгәл инженерия. Eachәрбер уяу ваферларны куркынычсыз урында тоту өчен җентекләп эшләнгән, зыян китерергә мөмкин булган хәрәкәтне яки күчүдән саклый. Бу төгәл инженерия эзлекле һәм төгәл вафер урнаштыруны хуплый, гомуми процесс эффективлыгына ярдәм итә.

Процесслар буенча күпкырлы куллануАның өстенлекле материаль үзенчәлекләре аркасындаPFA кассетасыярымүткәргеч җитештерүнең төрле этапларында кулланырлык дәрәҗәдә күпкырлы. Бу аеруча дымлы эфир, химик пар парламенты (CVD) һәм каты химик мохитне үз эченә алган башка процесслар өчен бик яраклы. Аның җайлашуы аны процессның бөтенлеген һәм вафер сыйфатын саклауда мөһим коралга әйләндерә.

Сыйфат һәм инновациягә тугрылыкСемицерада без сәнәгатьнең иң югары стандартларына туры килгән продуктлар белән тәэмин итәргә әзер. .Әр сүзнеңPFA кассетасысезнең җитештерү процессларына бертуктаусыз интеграцияләнгән ышанычлы чишелеш тәкъдим итеп, бу бурычны күрсәтә. Eachәрбер кассета безнең каты эш критерийларына туры килүен тәэмин итү өчен, катгый сыйфат контроле уза, Семицерадан сез көткән өстенлекне китерә.

Предметлар

Producитештерү

Тикшеренү

Думи

Бәллүр параметрлар

Политип

4H

Faceир өстендә ориентация хата

<11-20> 4 ± 0,15 °

Электр параметрлары

Допант

азот

Каршылык

0.015-0.025ohm · см

Механик параметрлар

Диаметр

150,0 ± 0,2 мм

Калынлык

350 ± 25 мм

Беренчел яссы юнәлеш

[1-100] ± 5 °

Беренчел яссы озынлык

47,5 ± 1,5 мм

Икенче фатир

Беркем дә юк

TTV

≤5 мм

≤10 мм

≤15 мм

ЛТВ

≤3 μm (5 мм * 5 мм)

≤5 μm (5 мм * 5 мм)

≤10 μm (5 мм * 5 мм)

Bowәя

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Сугыш

≤35 мм

≤45 μm

≤55 мм

Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

Структурасы

Микропип тыгызлыгы

<1 ea / cm2

<10 ea / cm2

<15 ea / cm2

Металл пычраклары

≤5E10атом / см2

NA

BPD

001500 ea / cm2

0003000 ea / см2

NA

TSD

00500 ea / cm2

0001000 ea / cm2

NA

Алгы сыйфат

Фронт

Si

Faceир өсте бетү

Si-face CMP

Кисәкчәләр

≤60ea / wafer (size≥0.3μm)

NA

Сызулар

≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр

Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр

NA

Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану

Беркем дә юк

NA

Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр

Беркем дә юк

Политип өлкәләре

Беркем дә юк

Кумулятив мәйдан ≤20%

Кумулятив мәйдан ≤30%

Алгы лазер маркировкасы

Беркем дә юк

Арткы сыйфат

Артка тәмамлау

C-йөзле CMP

Сызулар

≤5ea / мм, кумулятив озынлык≤2 * Диаметр

NA

Арткы кимчелекләр (кыр чиплары / индекс)

Беркем дә юк

Арткы тупаслык

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

Арткы лазер маркировкасы

1 мм (өске кырдан)

Кыр

Кыр

Чамфер

Пакетлау

Пакетлау

Эпи вакуум упаковка белән әзер

Күп ваферлы кассета төрү

* Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин.

tech_1_2_size
SiC вафиннары

  • Алдагы:
  • Киләсе: