Semicera-ның P тибындагы SiC субстрат ваферы алдынгы электрон һәм оптоэлектрон җайланмаларны үстерү өчен төп компонент. Бу ваферлар махсус эффектив һәм чыдам компонентларга булган ихтыяҗны хуплап, югары көчле һәм югары температуралы шартларда көчәйтелгән эш башкару өчен эшләнгән.
Безнең SiC ваферларында P тибындагы допинг электр үткәрүчәнлеген һәм корылма йөртүче хәрәкәтен яхшыртуны тәэмин итә. Бу аларны электр энергиясе, светофор, фотоволтаик күзәнәкләрдә куллану өчен аеруча яраклы итә, монда түбән энергия югалту һәм югары эффективлык критик.
Иң югары төгәллек һәм сыйфат стандартлары белән җитештерелгән, Semicera-ның P тибындагы SiC ваферлары искиткеч өслек бердәмлеген һәм минималь җитешсезлек ставкаларын тәкъдим итә. Бу характеристикалар аэрокосмос, автомобиль һәм яңартыла торган энергия өлкәләре кебек эзлеклелек һәм ышанычлылык кирәк булган тармаклар өчен бик мөһим.
Семицераның инновациягә һәм камиллеккә омтылуы безнең P тибындагы SiC субстрат ваферында ачык күренә. Бу ваферларны производство процессына интеграцияләп, сез җайланмаларыгыз SiC-ның махсус җылылык һәм электр үзлекләреннән файдалана аласыз, авыр шартларда нәтиҗәле эшләргә мөмкинлек бирәсез.
Семицераның P тибындагы SiC субстрат ваферына инвестиция - заманча материаль фәнне җентекләп инженерия белән берләштергән продукт сайлау дигән сүз. Semicera киләсе буын электрон һәм оптоэлектрон технологияләргә булышуга багышланган, ярымүткәргеч өлкәсендә уңышларыгыз өчен кирәкле компонентларны тәэмин итә.
| Предметлар | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| Бәллүр параметрлар | |||
| Политип | 4H | ||
| Faceир өстендә ориентация хата | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Электр параметрлары | |||
| Допант | азот | ||
| Каршылык | 0.015-0.025ohm · см | ||
| Механик параметрлар | |||
| Диаметр | 150,0 ± 0,2 мм | ||
| Калынлык | 350 ± 25 мм | ||
| Беренчел яссы юнәлеш | [1-100] ± 5 ° | ||
| Беренчел яссы озынлык | 47,5 ± 1,5 мм | ||
| Икенче фатир | Беркем дә юк | ||
| TTV | ≤5 мм | ≤10 мм | ≤15 мм |
| ЛТВ | ≤3 μm (5 мм * 5 мм) | ≤5 μm (5 мм * 5 мм) | ≤10 μm (5 мм * 5 мм) |
| Bowәя | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Сугыш | ≤35 мм | ≤45 μm | ≤55 мм |
| Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Структурасы | |||
| Микропип тыгызлыгы | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Металл пычраклары | ≤5E10атом / см2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / см2 | NA |
| TSD | 00500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Алгы сыйфат | |||
| Фронт | Si | ||
| Faceир өсте бетү | Si-face CMP | ||
| Кисәкчәләр | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Сызулар | ≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр | Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA |
| Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану | Беркем дә юк | NA | |
| Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр | Беркем дә юк | ||
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤20% | Кумулятив мәйдан ≤30% |
| Алгы лазер маркировкасы | Беркем дә юк | ||
| Арткы сыйфат | |||
| Артка тәмамлау | C-йөзле CMP | ||
| Сызулар | ≤5ea / мм, Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA | |
| Арткы җитешсезлекләр (кыр чиплары / индекс) | Беркем дә юк | ||
| Арткы тупаслык | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Арткы лазер маркировкасы | 1 мм (өске кырдан) | ||
| Кыр | |||
| Кыр | Чамфер | ||
| Пакетлау | |||
| Пакетлау | Эпи вакуум упаковка белән әзер Күп ваферлы кассета төрү | ||
| * Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин. | |||
