Кремний карбид белән капланган баррель реакторы

Кыска тасвирлау:

Семицера төрле эпитакси реакторлар өчен эшләнгән сенсорларның һәм графит компонентларының киң спектрын тәкъдим итә.

Сәнәгатьнең алдынгы ОЭМнары белән стратегик партнерлык, киң материаллар экспертизасы, алдынгы җитештерү мөмкинлекләре аша, Semicera сезнең заявкаларның конкрет таләпләренә туры китереп эшләнгән конструкцияләр китерә. Безнең өстенлеккә омтылуыбыз сезнең эпитакси реактор ихтыяҗлары өчен оптималь карарлар алуыгызны тәэмин итә.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Безнең компания тәэмин итәSiC каплауграфит, керамика һәм башка материаллар өстендә эшкәртү хезмәтләре, CVD ысулы белән, углерод һәм кремний булган махсус газлар югары температурада реакция ясый алалар, югары чисталыклы Сик молекулаларын алалар, алар капланган материаллар өслегендә урнаштырыла ала.SiC саклагыч катламэпитакси баррель тибындагы hy pnotic өчен.

Төп үзенчәлекләр:

1 .Бары чисталык SiC капланган графит

2. supгары җылылыкка каршы тору һәм җылылык бердәмлеге

3. ЯхшыSiC кристалл белән капланганшома өслек өчен

4. Химик чистартуга каршы ныклык

Төп үзенчәлекләрCVD-SIC каплау

SiC-CVD үзенчәлекләре
Бәллүр структурасы	FCC β фаза
Тыгызлыгы	г / см ³	3.21
Каты	Викерс каты	2500
Ашлык күләме	μm	2 ~ 10
Химик чисталык	%	99.99995
Atылылык сыйдырышлыгы	J · кг-1 · К-1	640
Сублимация температурасы	℃	2700
Флексур көч	MPa (ТР 4 балл)	415
Яшь модуль	Gpa (4pt бөкләнү, 1300 ℃)	430
Rылылык киңәюе (CTE)	10-6К-1	4.5
Rылылык үткәрүчәнлеге	(W / mK)	300