-
SiC бер кристалл үсешендә орлык кристаллын әзерләү процессы
Кремний карбид (SiC) материалы киң үткәргеч, югары җылылык үткәрүчәнлеге, югары критик өзелү кыры, һәм югары туендырылган электрон дрифт тизлеге өстенлекләренә ия, бу ярымүткәргеч җитештерү өлкәсендә зур өмет бирә. SiC бер кристалллар гадәттә җитештерелә ...Күбрәк укыгыз -
Вафинны бизәү ысуллары нинди?
Чип ясауда катнашкан барлык процесслардан вафинның соңгы язмышы аерым үлгәннәргә киселергә һәм кечкенә, ябык тартмаларга төрелергә тиеш. Чип аның бусагасына, каршылыгына, токына һәм көчәнеш бәяләренә карап бәяләнәчәк, ләкин беркем дә уйламый ...Күбрәк укыгыз -
SiC эпитаксиаль үсеш процессының төп кереше
Эпитаксиаль катлам - эпаксиаль процесс ярдәмендә ваферда үскән билгеле бер кристалл фильм, һәм субстрат вафер һәм эпитаксиаль фильм эпитаксиаль вафер дип атала. Кремний карбид эпитаксиаль катламын үткәргеч кремний карбид субстратында, кремний карбид бер тигез эпитаксиалны үстереп ...Күбрәк укыгыз -
Ярымүткәргеч төрү процессының сыйфатын контрольдә тотуның төп пунктлары
Ярымүткәргеч төрү процессында сыйфат контроле өчен төп пунктлар Хәзерге вакытта ярымүткәргеч төрү өчен процесс технологиясе сизелерлек яхшырды һәм оптимальләштерелде. Ләкин, гомуми күзлектән караганда, ярымүткәргеч төрү процесслары һәм ысуллары әле иң яхшы дәрәҗәгә җитмәгән ...Күбрәк укыгыз -
Ярымүткәргеч төрү процессындагы проблемалар
Ярымүткәргеч төрү өчен хәзерге техника акрынлап яхшыра, ләкин ярымүткәргеч упаковкада автоматлаштырылган җиһазлар һәм технологияләр күләме көтелгән нәтиҗәләрнең тормышка ашуын турыдан-туры билгели. Хәзерге ярымүткәргеч төрү процесслары әле дә газап чигә ...Күбрәк укыгыз -
Ярымүткәргеч төрү процессын тикшерү һәм анализлау
Ярымүткәргеч процессына күзәтү Ярымүткәргеч процессы беренче чиратта микрофабрикация һәм кино технологияләрен куллануны үз эченә ала, чипларны һәм төрле элементларны субстратлар һәм рамкалар кебек тоташтыру өчен. Бу кургаш терминалларын чыгаруны җиңеләйтә һәм ...Күбрәк укыгыз -
Ярымүткәргеч тармагында яңа тенденцияләр: Саклагыч каплау технологиясен куллану
Ярымүткәргеч индустриясе моңарчы күрелмәгән үсешнең шаһиты, аеруча кремний карбид (SiC) электр электроникасы өлкәсендә. Электр машиналарында SiC җайланмаларына булган ихтыяҗны канәгатьләндерү өчен, күп масштаблы вафер фаблар төзелеш яки киңәйтү белән, бу ...Күбрәк укыгыз -
SiC субстратларын эшкәртүдә төп адымнар нинди?
SiC субстратлары өчен эшкәртү адымнарын ничек ясыйбыз: 1. Кристалл юнәлеше: Рентген дифракциясен кристалл инготка юнәлтү. Рентген нуры кирәкле кристалл йөзенә юнәлтелгәндә, дифракцияләнгән нур почмагы кристалл юнәлешен билгели ...Күбрәк укыгыз -
Бер кристалл кремний үсешенең сыйфатын билгеләүче мөһим материал - җылылык кыры
Бер кристалл кремнийның үсеш процессы тулысынча җылылык кырында алып барыла. Яхшы җылылык кыры кристалл сыйфатын яхшырту өчен ярдәм итә һәм кристаллизациянең югары эффективлыгына ия. Rылылык кырының дизайны үзгәрешләрне һәм үзгәрешләрне күпчелекне билгели ...Күбрәк укыгыз -
Эпитаксиаль үсеш нәрсә ул?
Эпитаксиаль үсеш - бер кристалл субстратта (субстрат) бер кристалл катламны үстерүче технология, субстрат белән бер үк кристалл ориентациясе, оригиналь кристалл тышкы яктан сузылган кебек. Бу яңа үскән бер кристалл катлам субстраттан c ягыннан аерылып торырга мөмкин ...Күбрәк укыгыз -
Субстрат белән эпитакси арасында нинди аерма бар?
Ваферны әзерләү процессында ике төп бәйләнеш бар: берсе субстратны әзерләү, икенчесе эпитаксиаль процессны тормышка ашыру. Ярымүткәргеч бер кристалл материалдан җентекләп эшләнгән субстрат, вафер җитештерүгә турыдан-туры кертелергә мөмкин ...Күбрәк укыгыз -
Графит җылыткычларның күпкырлы характеристикаларын ачу
Графит җылыткычлары, төрле үзенчәлекләре һәм күпкырлылыгы аркасында, төрле тармакларда алыштыргысыз корал булып барлыкка килделәр. Лабораторияләрдән сәнәгать шартларына кадәр, бу җылыткычлар материаль синтездан алып аналитик техникага кадәр булган процессларда төп роль уйныйлар. Төрлеләр арасында ...Күбрәк укыгыз