Сәнәгать яңалыклары

  • Кичә, Фән һәм технология инновацион советы Huazhuo Precision Technology IPO-ны туктатуы турында игълан ясады!

    Күптән түгел Кытайда беренче 8 дюймлы СИС лазерлы аннальинг җиһазлары китерелүен игълан иттеләр, бу да ingинхуа технологиясе; Нигә алар материалларны үзләре алып киттеләр? Берничә сүз: Беренчедән, продуктлар төрле! Беренче карашка, аларның нәрсә эшләгәннәрен белмим. Хәзерге вакытта H ...
    Күбрәк укыгыз
  • CVD кремний карбид каплавы-2

    CVD кремний карбид каплавы-2

    CVD кремний карбид каплавы 1. Ни өчен кремний карбид каплавы бар Эпитаксиаль катлам - эпитаксиаль процесс аша вафат нигезендә үскән махсус кристалл нечкә пленка. Субстрат вафер һәм эпитаксиаль нечкә пленка бергәләп эпитаксиаль вафер дип атала. Алар арасында ...
    Күбрәк укыгыз
  • СИС каплауны әзерләү процессы

    СИС каплауны әзерләү процессы

    Хәзерге вакытта SiC каплауны әзерләү ысулларына, нигездә, гель-сол ысулы, урнаштыру ысулы, кисточка каплау ысулы, плазма сиптерү ысулы, химик парларның реакция ысулы (CVR) һәм химик парларны чүпләү ысулы (CVD) керә. Урнаштыру ысулыБу ысул - югары температуралы каты фазаның бер төре ...
    Күбрәк укыгыз
  • CVD Кремний Карбид Каплау-1

    CVD Кремний Карбид Каплау-1

    CVD SiC химик пар парламенты (CVD) - югары чисталыклы каты материаллар җитештерү өчен кулланылган вакуум чүпләү процессы. Бу процесс ярымүткәргеч җитештерү өлкәсендә вафер өслегендә нечкә фильмнар формалаштыру өчен еш кулланыла. CVD тарафыннан SiC әзерләү процессында субстрат эксп ...
    Күбрәк укыгыз
  • Рентген топологик күзәтү ярдәмендә SiC кристаллындагы дислокация структурасын анализлау

    Рентген топологик күзәтү ярдәмендә SiC кристаллындагы дислокация структурасын анализлау

    Тикшеренү фоны Кремний карбидының (SiC) куллану әһәмияте: киң полоса ярымүткәргеч материал буларак, кремний карбид үзенең яхшы электр характеристикалары аркасында зур игътибар җәлеп итте (мәсәлән, зуррак тасма, электрон туендыру тизлеге һәм җылылык үткәрүчәнлеге). Бу реклама ...
    Күбрәк укыгыз
  • SiC бер кристалл үсешендә орлык кристаллын әзерләү процессы 3

    SiC бер кристалл үсешендә орлык кристаллын әзерләү процессы 3

    Verсешне тикшерүСиликон карбид (SiC) орлык кристаллары күрсәтелгән процесс буенча әзерләнде һәм SiC кристалл үсеше аша расланды. Кулланылган үсеш платформасы үзеннән-үзе эшләнгән SiC индукция миче иде, үсеш температурасы 2200 with, 200 Па басым һәм үсү ...
    Күбрәк укыгыз
  • SiC бер кристалл үсешендә орлык кристаллын әзерләү процессы (2 өлеш)

    SiC бер кристалл үсешендә орлык кристаллын әзерләү процессы (2 өлеш)

    2. Эксперименталь процесс 2.1 Ябыштыргыч фильмны дәвалау Бу турыдан-туры углерод пленкасы ясау яки ябыштыргыч белән капланган SiC ваферларында графит кәгазе белән бәйләү берничә проблемага китерде: 1. Вакуум шартларында, SiC ваферларында ябыштыргыч пленка масштаблы күренеш барлыкка килде. кул куярга ...
    Күбрәк укыгыз
  • SiC бер кристалл үсешендә орлык кристаллын әзерләү процессы

    SiC бер кристалл үсешендә орлык кристаллын әзерләү процессы

    Кремний карбид (SiC) материалы киң үткәргеч, югары җылылык үткәрүчәнлеге, югары критик өзелү кыры, һәм югары туендырылган электрон дрифт тизлеге өстенлекләренә ия, бу ярымүткәргеч җитештерү өлкәсендә зур өмет бирә. SiC бер кристалллар гадәттә җитештерелә ...
    Күбрәк укыгыз
  • Вафинны бизәү ысуллары нинди?

    Вафинны бизәү ысуллары нинди?

    Чип ясауда катнашкан барлык процесслардан вафинның соңгы язмышы аерым үлгәннәргә киселергә һәм кечкенә, ябык тартмаларга төрелергә тиеш. Чип аның бусагасына, каршылыгына, токына һәм көчәнеш бәяләренә карап бәяләнәчәк, ләкин беркем дә уйламый ...
    Күбрәк укыгыз
  • SiC эпитаксиаль үсеш процессының төп кереше

    SiC эпитаксиаль үсеш процессының төп кереше

    Эпитаксиаль катлам - эпаксиаль процесс ярдәмендә ваферда үскән билгеле бер кристалл фильм, һәм субстрат вафер һәм эпитаксиаль фильм эпитаксиаль вафер дип атала. Кремний карбид эпитаксиаль катламын үткәргеч кремний карбид субстратында, кремний карбид бер тигез эпитаксиалны үстереп ...
    Күбрәк укыгыз
  • Ярымүткәргеч төрү процессының сыйфатын контрольдә тотуның төп пунктлары

    Ярымүткәргеч төрү процессының сыйфатын контрольдә тотуның төп пунктлары

    Ярымүткәргеч төрү процессында сыйфат контроле өчен төп пунктлар Хәзерге вакытта ярымүткәргеч төрү өчен процесс технологиясе сизелерлек яхшырды һәм оптимальләштерелде. Ләкин, гомуми күзлектән караганда, ярымүткәргеч төрү процесслары һәм ысуллары әле иң яхшы дәрәҗәгә җитмәгән ...
    Күбрәк укыгыз
  • Ярымүткәргеч төрү процессындагы проблемалар

    Ярымүткәргеч төрү процессындагы проблемалар

    Ярымүткәргеч төрү өчен хәзерге техника акрынлап яхшыра, ләкин ярымүткәргеч упаковкада автоматлаштырылган җиһазлар һәм технологияләр күләме көтелгән нәтиҗәләрнең тормышка ашуын турыдан-туры билгели. Хәзерге ярымүткәргеч төрү процесслары әле дә газап чигә ...
    Күбрәк укыгыз