Ярымүткәргеч индустрия чылбырында, аеруча өченче буын ярымүткәргечтә (киң үткәргеч ярымүткәргеч) сәнәгать чылбырында субстратлар бар һәмэпитаксиалькатламнары. Нәрсә улэпитаксиалькатлам? Субстрат белән субстрат арасында нинди аерма бар?
Субстрат аваферярымүткәргеч бер кристалл материаллардан. Субстрат турыдан-туры керә алаваферярымүткәргеч җайланмалар җитештерү өчен сылтама, яки аны эшкәртеп булаэпитаксиальэпитаксиаль ваферлар җитештерү процессы. Субстрат - аскывафер. ләкин ул арткы процесста ясалган), һәм бөтен ярдәм функциясен йөртә торган нигез (чиптагы бина субстратта төзелгән).
Эпитакси - бер кристалл субстратта яңа бер кристаллны үстерү процессын аңлата, кисү, тарту, бизәү һ.б. белән эшкәртелгән. Яңа бер кристалл субстрат белән бер үк материал булырга мөмкин, яки ул башка материал булырга мөмкин. (гомепитаксиаль яки гетероепитаксиаль).
Яңа барлыкка килгән бер кристалл катлам субстрат кристалл фазасы буенча үсә, ул эпитаксиаль катлам дип атала (гадәттә берничә микрон калынлыкта. Кремнийны мисал итеп алыгыз: кремний эпитаксиаль үсешнең мәгънәсе кристалл катламын яхшы такталар структурасы белән үстерү. кремний кристалл субстратында билгеле бер кристалл ориентациясе һәм субстрат кебек төрле каршылык һәм калынлык), һәм эпитаксиаль катлам белән субстрат эпитаксиаль вафер (эпитаксиаль вафер = эпитаксиаль катлам + субстрат) дип атала. Devайланма җитештерү эпитаксиаль катламда алып барыла.
Эпитаксиалитет гомоепитаксиализмга һәм гетероепитаксиализмга бүленә. Гомепитаксиалитет - субстраттагы субстрат белән бер үк материалның эпитаксиаль катламын үстерү. Гомепитаксиализмның мәгънәсе нинди? - Продукциянең тотрыклылыгын һәм ышанычлылыгын яхшырту. Гомепитаксиалитет субстрат белән бер үк материалның эпитаксиаль катламын үстерергә тиеш булса да, материал бер үк булса да, ул матди чисталыкны һәм вафер өслегенең бердәмлеген яхшырта ала. Механик полировка белән эшкәртелгән чистартылган ваферлар белән чагыштырганда, эпитаксиализм белән эшкәртелгән субстрат өслекнең яссылыгы, югары чисталыгы, микро җитешсезлекләре азрак, өслек пычраклары азрак. Шуңа күрә, каршылык тагын да бертөрле, һәм өслек кисәкчәләре, ватыклар, дислокацияләр кебек өслек җитешсезлекләрен контрольдә тоту җиңелрәк. Эпитакси продукт җитештерүчәнлеген яхшыртып кына калмый, продуктның тотрыклылыгын һәм ышанычлылыгын да тәэмин итә.
Кремний вом субстратында кремний атомнарының эпитаксиаль катламын ясауның нинди өстенлекләре бар? CMOS кремний процессында эпитаксиаль үсеш (EPI, эпитаксиаль) вафер субстратында бик критик процесс адымы.
1. Кристалл сыйфатын яхшырту
Башлангыч субстрат җитешсезлекләре һәм пычраклыклары: Вафер субстрат җитештерү процессында кайбер кимчелекләр һәм пычраклыклар булырга мөмкин. Эпитаксиаль катламның үсеше субстратта югары сыйфатлы, түбән җитешсезлек һәм пычрак концентрацияле бер кристалл кремний катламы барлыкка китерергә мөмкин, бу алдагы җайланмалар җитештерү өчен бик мөһим. Бердәм кристалл структурасы: Эпитаксиаль үсеш бертөрле кристалл структурасын тәэмин итә ала, ашлык чикләренең һәм субстрат материалдагы кимчелекләрнең йогынтысын киметә ала, һәм шулай итеп бөтен вафатның кристалл сыйфатын яхшырта ала.
2. Электр эшчәнлеген яхшырту
Deviceайланма характеристикаларын оптимальләштерү: Субстратта эпитаксиаль катлам үстереп, допинг концентрациясе һәм кремний төре җайланманың электр эшчәнлеген оптимальләштерү өчен төгәл контрольдә тотыла ала. Мәсәлән, эпитаксиаль катламның допингы бусага көчәнешен һәм MOSFETның башка электр параметрларын төгәл көйли ала. Агып торган токны киметегез: qualityгары сыйфатлы эпитаксиаль катламнарның кимчелек тыгызлыгы түбән, бу җайланмадагы агымны киметергә ярдәм итә, шуның белән җайланманың эшләвен һәм ышанычлылыгын яхшырта.
3. Алга киткән процесс төеннәренә булышу
Функция күләмен киметү: Кечкенә процесс төеннәрендә (мәсәлән, 7нм, 5нм), җайланманың үзенчәлек күләме кими бара, тагын да чистартылган һәм югары сыйфатлы материаллар таләп итә. Эпитаксиаль үсеш технологиясе бу таләпләргә җавап бирә ала һәм югары җитештерүчәнлек һәм югары тыгызлыктагы интеграль челтәр җитештерүне тәэмин итә ала. Ватылу көчәнешен яхшырту: Эпитаксиаль катлам югары көчәнеш һәм югары көчәнешле җайланмалар җитештерү өчен бик мөһим ватылу көчәнешенә ия булырга мөмкин. Мәсәлән, электр җайланмаларында эпитаксиаль катлам җайланманың өзелү көчәнешен арттырырга һәм куркынычсыз эш диапазонын арттырырга мөмкин.
4. Процессның туры килүе һәм күп катламлы структурасы
Күп катламлы структура: Эпитаксиаль үсеш технологиясе күп катламлы структураларны субстратта үстерергә мөмкинлек бирә, һәм төрле катламнар төрле допинг концентрацияләре һәм төрләре булырга мөмкин. Бу катлаулы CMOS җайланмалары җитештерү һәм өч үлчәмле интеграциягә ирешү өчен бик файдалы. Бер-берсенә туры килү: Эпитаксиаль үсеш процессы булган CMOS җитештерү процесслары белән бик туры килә һәм процесс линияләрен сизелерлек үзгәртмичә, булган җитештерү процессларына җиңел интеграцияләнергә мөмкин.
Пост вакыты: 16-2024 июль